原创力文档复旦大学工程硕士半导体器件概论考试大纲-复旦大学微电子学院
复旦大学工程硕士 《半导体器件概论》考试大纲
一、考试方法和考试时间
考试采用闭卷、笔试形式，考试时间为180分钟。
二、考试内容和考试要求
（半导体物理和器件部分）
基本参考书：
《半导体器件物理》，孟庆巨等编著，科学出版社2005出版
其他参考书：
1、《半导体物理学》 刘恩科 国防工业出版社 （1994）
2、R.M.Warner,B.L.Grung Semiconductor-Device Electronics
(《半导体器件电子学》吕长志等译，电子工业出版社2005年2月出版)
3、Robert F. Pierret Semiconductor Device Fundamental
(《半导体器件基础》黄 如等译，电子工业出版社2004年11月出版)
考试对象的要求：
在了解半导体导电机制和其中载流子的性质和行为的基础上，初步了解硅双极型晶体管和MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理，初步了解器件电参数和几何结构及半导体材料参数之间的关系；
要求：了解基本术语概念;熟悉公式；掌握公式的内容和约束条件。
一、了解半导体导电机制和其中载流子的性质和行为：
了解半导体和绝缘体、金属的能带、导电机制有哪些差别，同时知道绝缘体和半导体之间在特定条件下又有可能转化；
了解晶体中描述电子的共有化状态和局域状态的基本参数；
了解‘空穴’导电的本质；
了解控制半导体导电类型和导电
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