双极场引晶体管ⅱ.飘移扩散理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistorⅱ.drift-diffusion current theory (two-mos-gates on pure-base).pdfVIP

下载本文档

1
0
约7.98万字
约 11页
2017-08-14 发布于上海
举报
版权申诉

双极场引晶体管ⅱ.飘移扩散理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistorⅱ.drift-diffusion current theory (two-mos-gates on pure-base).pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

双极场引晶体管ⅱ.飘移扩散理论(双mos栅纯基) the bipolar field-effect transistorⅱ.drift-diffusion current theory (two-mos-gates on pure-base)

No．12 第28卷第12期半导体学报 v01．28 2007年12月 CHINESEJOURNALoFSEMICoNDUCToRS Dec．，2007 The Field—EffectTransistor· Bipolar Current II．Drift-Diffusion Theory on (Two-MOS-GatesPure-Base)’ Sahl，2-3”andBin Chih-Tang B．Jie3’’ (1Chinese 100864．China) AcademyofSciences·ForeignMember，Beijing (2 ofFlorida，Gainesville，Florida32605。USA) University (3 100084，China) PekingUniversity，Beijing Abstract：Thisdescribesthedrift．diffusionofthe field．effecttransistor(BiFET)withtwo paper theory bipolar identicalandconnected a solutionisobtained metal．oxide．silicon．gates(MOS-gates)onthin．pure．base．Analytical thetwo-dimensionaltransistotintotwoone-dimensional the sur- bypartitioning problemscoupledby parametric and andtransfercurrentsandconductancesversus face-electric．potential．Totalcomponentoutput D．C．voltages fromthedrift．diffusion theirdeviationsfromthe theory，and over ofthicknessesofthesiliconbaseand oxide．Asubstantialcontri- theory。arepresentedpracticalranges gate from ofthe ofthetransverseelectricfieldisshown． bution the longitudinalgradientsquar