双极晶体管关键参数的研究 bipolar transistors on key parameters.pdfVIP

2008年7月 窟子测斌 JuI。20∞ 黼 ELEcTRONlCTEsT №．7 双极晶体管关键参数的研究 赵桂清，吴国增 (聊城大学东昌学院聊城252000) 摘要：本文基于双极晶体管的工艺，就如何对电流增益和特征频率两个参数进行优化研究。首先对其进行了 器件工艺模拟分析优化，得到模拟特征频率在10GHz，电流增益为160，而后进行了流片，通过测试得到特征频 率为9．5GHz，电流增益在160以上，最后进行了测试结果和模拟结果的比较分析。 关键词：双极晶体管；低噪声放大器；增益；特征频率 中图分类号：TN321文献标识码：A transistoI．s0n Bipolar keyparameters Zhao Guiqing，WuGuozeng (Do竹gc施行gC0地∥，Linoc矗跏gLki傀切，L缸。以跏g船2000，a西磁) the Abstract：Basedon transistor howthecurrentand char— bipolar process，on gain frequency acteristicsto two werestudied．FirstofaUitssimulationofthe optimizeparameters device characteristic 10GHz，currentof160．Fi— processoptimization，simulationfrequencyby gain the testsarecharacteristicof9．5 morethaninthe nally，andflow—through frequencyGHz，160 current testresultsand ofthesimulation gain．Finally，the comparativeanalysis results． Keywords：bipolartransistor；lo、^卜-noise frequency amplifier；gain；characteristic 频率范围仍然占有优势。频率低于4GHz的硅双 0 引 言 极晶体管为许多电子设计提供了可靠而低廉的设 计方案。目前我国发展硅双极工艺技术的MME 双极高频器件已大量应用于军用、民用电子设 方面取得了很大成就。 备中，其典型应用主要在通信、雷达(含导航)和电 缩小器件尺寸仍然是提高双极器件性能的必 子对抗领域。全固态电子设备的体积、重量、性能、 然途径。本文就采取先进的双层多晶硅自对准工 价格和可靠性很大程度上都取决于双极功率器件 艺来缩减晶体管的尺寸来提高双极晶体管的速度。 及放大器性能，因此提高该类器件的性能具有很大 根据模拟集成电路国家重点实验室的工艺不能够 的应用价值和现实意义。在制作单片低噪