双栅肖特基源漏mosfet的阈值电压模型 threshold voltage model of a double-gate mosfet with schottky source and drain.pdfVIP

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2017-08-14 发布于上海
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双栅肖特基源漏mosfet的阈值电压模型 threshold voltage model of a double-gate mosfet with schottky source and drain.pdf

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双栅肖特基源漏mosfet的阈值电压模型 threshold voltage model of a double-gate mosfet with schottky source and drain

28 第28卷第8期半导体学报 Voi No8 CHINESE OF 2007年8月 JOURNALSEMICoNDUCToRS Aug，2007 ThresholdModelofaDouble—GateMOSFETwith Voltage Schottky SourceandDrain” Xu Liu B0juan，DuGang，XiaZhiliang，ZengLang，HanRuqi，andXiaoyan+ (Institute 100871，China) ofMicroelectronics，PekingUniveraity，Beifing Abstract：A modelofa with double—gate(DG)MOSFETsource／ quasitwo—dimensional(2D)analytical Schottky drain basedon Poisson The2D distributionin channelis Anex· isdevelopedthe equation potential the calculated forthresholdforashort—channelDGMOSFETwith isalso pression S／D presentedby voltage Schottky defining ofthemodelareverifiedthenumerical theturn—oilconditionTheresults by simulatorDESSIS-ISE barrier；threshold Keywords：double-gate；gchottkyvoltage PACC：7330；4710 CLC Document Artiele number：TN386 code：A ID：0253—4177(2007)08-1179-05 l Introduction 2 Derivationof model analytical toconventionalMoSFETs 1 schematicofa Asanalternative showsa DG Figure diagram with S／D MoSFETwithSBsourceanddrain．The