提升硅上GaNLED的竞争力-化合物半导体.PDF

技术 | Technology – LED 提升硅上GaN LED 的竞争力 采用200mm 硅衬底的晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP ）可以增强LED 发射波长的一致性，降低热致光效衰减，提升光发射效率，并可大幅削 减生产成本。 HYUN KUM, JOOSUNG KIM, YONGJO TAK, JONGSUN MAENG, JUN-YOUN KIM, YOUNGSOO PARK; 三星电子公司 固态照明的时代已经来临。为了使LED 灯泡 是采用晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP ）形式，这 的购买人群从投资该项科技的早期采购者 种封装能够省去传统LED 封装复杂的筛选和工艺 拓展到广大人群，使这种高效、可靠的光源能够 过程，能够直接在外延晶圆上来制作这种封装结 走进千家万户来降低他们的电费开销，我们还需 构。 要进一步改进LED 灯泡的性能，并降低它的价格。 在位于韩国京畿道的三星电子公司，我们将 为了降低LED 灯泡的价格，让更多消费者愿 这两种方法结合在一起，即使用WLCSP 封装方 意用它来替代荧光灯，首要任务就是要降低LED 法在200mm 尺寸的硅上GaN 晶圆上来制造LED 芯片的制造成本。为实现这一目标的一种方法是 （其成本削减的潜力见图1）。这种方法的意义重 使用更便宜、尺寸更大的衬底材料，例如200mm 大，因为在传统的蓝宝石衬底晶圆上尚未实现真 硅晶圆。LED 生产商还在考虑的另一种选项，即 正的WLCSP 技术，这是由多重原因所造成的， 其中包括“蓝光泄漏”问题，即蓝光光子会从器 件的侧边逸出（见图2 ）。实际的晶圆级封装工艺 无法解决这个问题，因此蓝宝石上GaN 晶圆必须 经过切割、筛选（binned ）后，再将它一个个“移 栽”到热胶带上以涂敷荧光层，之后再进行下一 步的切割。 而我们的WLCSP 工艺是基于薄膜倒装芯片 技术，在去除硅衬底的同时还减薄了GaN 层的厚 度（小于3 µm ），这就从根本上消除了蓝光的侧 面泄漏问题，还简化了荧光层涂敷和芯片切割工 艺。由于省略了分类和“移栽”过程，芯片的发 射光波长一致性就变得至关重要。因为荧光膜层 覆盖整个晶圆表面，要获得所需的色温和显色指 数，就必须依靠芯片发射光波长和荧光膜层荧光 特性间实现完美的匹配。 为了使我们的WLCSP 工艺具有足够高的良 16 化合物半导体 2016年第3期