热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２４ １ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．１ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００９ ２ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ｆｅｂ．２００９ ｑ ｙ ｐ ｙ 文章编号： （ ） １００７２７８０２００９０１００４３０５ 热 ＣＶＤ法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性 ， １２ １ １ １ １ 曹连振 ，蒋 红 ，宋 航 ，李志明 ，赵海峰 　 　 ， ， ， ， １２ １２ １２ １２ １ １ 吕文辉 ，刘 霞 ，郭万国 ，阎大伟 ，孙晓娟 ，缪国庆 　 （ 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春 ； １． １３００３３ 　 ２．中国科学院 研究生院，北京 １０００３９） 　 摘 要：采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜，然后用热化学气相淀积（ ） ＴＣＶＤ 　 的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列，用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。 研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性，并与无图形化处理的碳纳米管薄膜样品的场 ２ 发射特性进行了比较。当发射电流密度达到 ／ 时，无图形化处理的碳纳米管薄膜、 １０ Ａ ｃｍ μ 碳纳米管线阵列以及 碳纳米管线阵列样品的开启电场分别为 ／ 、 ／ １０ ｍ ２ ｍ ３Ｖ ｍ ２．１Ｖ μ μ μ ２ 和 ／ ；而当电场强度达 ／ 时，相应的电流密度分别为 ／ 、 ｍ １．７Ｖ ｍ ３．６７Ｖ ｍ