用于犜犉犜犔犆犇驱动芯片的内置犇犚犃犕设计-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２４ ４ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．４ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００９ ８ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ａｕ．２００９ ｑ ｙ ｐ ｙ ｇ 文章编号： （ ） １００７２７８０２００９０４０５８１０５ 用于犜犉犜犔犆犇驱动芯片的内置犇犚犃犕设计 张 斌，张盛兵，梁 茂 　 　 （西北工业大学 软件与微电子学院，陕西 西安 ， ： ） ７１００６８ Ｅｍａｉｌ ｈｏｅｎｉｘｚｈｂ ｓｉｎａ．ｃｏｍ 　 ｐ ＠ 摘 要：ＴＦＴＬＣＤ驱动芯片中需要较大容量的内置存储器，相对于静态存储电路而言，动态 　 存储电路节省了芯片的面积，有利于芯片成本的降低。文章讨论了用于 ＴＦＴＬＣＤ驱动芯片 内置 ＤＲＡＭ 的分块设计方法，结合芯片物理特点将其分为左右对称两块。采用改进的 ３Ｔ 结构 ＤＲＡＭ存储阵列，省去了伪存储单元，节省了面积，降低了功耗。优化了ＤＲＡＭ的刷新 电路，省略了判断信号与 和 先后顺序的仲裁电路。结合芯片本身的特点设计了 ＲＡＳ ＣＡＳ 行、列译码电路。对于芯片的仿真，采用了模拟验证和形式验证相结合的前端设计验证方法， 同时又采用了结构化抽取寄生参数和建立关键路径的后仿真。 关 键 词： ； ； ；仿真 ＴＦＴ ＤＲＡＭ ３Ｔ 　 　 中图分类号： ； 文献标识码： ＴＰ３３３．８ＴＰ３９１．９ Ａ 　　　 ＤＲＡＭ 的设计工作。所设计的 ＴＦＴＬＣＤ驱动 １ 引 言 　 　　 芯片内置 ＤＲＡＭ 的存储容量为 ２２０×１７６×１８ 小尺寸薄膜晶体管液晶显示器（ＴｈｉｎＦｉｌｍ ，具有 位地址总线、 位 数据接口 ｂｉｔｓ １６ １８ ＭＰＵ ， ）的 总线和 （ ）位图像显示数据单向 ＴｒａｎｓｉｓｔｏｒＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌＤｉｓｌａ ＴＦＴＬＣＤ ３１６８１７６×１８ｂｉｔｓ ｑ ｙ ｐ ｙ 驱动芯片，普遍采用单片集成（Ｏｎｅｃｈｉ Ｓｏｌｕ 输出总线（输出到列驱动器），能支持 万色、 ｐ