电容耦合等离子体化学气相沉积系统二维射频放电及-常州大学学报.PDF

( ) 第 卷 第 期 常州大学学报 自然科学版 ２４ ２ Vol２４No２ 年 月 ( ) ２０１２ ６ JournalofChanzhouUniversit NaturalScienceEdition Jun２０１２ g y 文章编号: ( ) ２０９５－０４１１ ２０１２ ０２－０００５－０６ 电容耦合等离子体化学气相沉积系统二维 射频放电及薄膜制备工艺的研究∗ , , １ １２ １２ １ , , , 陈明明 袁宁一 丁建宁 赵亚芝 ( , ; , ) １常州大学 低维材料与微纳器件中心 江苏 常州 ２１３１６４ ２江苏省太阳能电池材料与技术重点实验室 江苏 常州 ２１３１６４ : , / 摘要 通过建立二维自适应模型 对等离子体化学气相沉积系统反应室中SiH H 在射频辉光放电条件下的多物理场进行仿真 ４ ２ , : , , , 模拟 模拟结果显示 当射频功率和硅烷体积分数增大时 极板间电子密度增大 薄膜沉积速率也随之加快 但沉积的均匀性 . , , , 变差 结合利用该 PECVD设备制备的薄膜微结构和沉积速率测试结果 得出射频功率为 ８０W SiH４体积分数为 １％时 薄膜 , . 的平均晶粒大小和晶化率最大 薄膜沉积速率较快且均匀性较好 : ; ; ; 关键词 等离子体化学气相沉积 二维自适应模型 电子密度 沉积速率 中图分类号:O４４１５３９　　　　文献标识码:A Two－DimensionalModellin ofRadio－FreuencDischaresforPlasma g q y g ChemicalVaorDeositionSstemandThinFilmDeositionProcess p p y p , , １ １２ １２ １ , , , CHENMin－min YUANNin－ i DINGJian－nin ZHAOYa－zhi g g g y