硅一MOS型三维磁场敏感器结构研究.PDF

ll●1卑9月 传 感 技 术 学 报 ●3■ 硅一MOS型三维磁场敏感器结构研究 赖宗声 刘 亿 吴光励 (华东师范大学电子科学系) 摘要 本史提 出7一种硅一MOS型三维磁场敏感器结构，它是将对 B 分量敏感的一维 横 向DMOS(LDMOS)与对 B 和 B 分量敏感 的两维 的纵 向DMOS(VDMOS)并台集成在 一 起． 该麟场敏感器的最小空间分辨率为：l0 m×16 m×32，5 m，相对灵敏度 S r优 P6x1O一：T～．当外加磁感应强度低于 O．4T 时谊器件非线性误差低于 l×】0～．由于本器 件采用 了特殊 的相容性制造工艺，可 易于得到与磁敏 器件接 口的电路优化设计． 关蕾词 磁扬敏感器 詹敏 晶体管 豌扩散 M0S器件 1 引 言 自从 Hudson。：于 1968年首先提出纵向双集 电极磁敏晶体管 (MT—M8gnet0transis— tot)结构以来，已出现多种新型磁敏晶体管结构．它受到人们重视的主要原因是：MT结构 具有较高的探涮磁场灵敏度；采用标准 IC工艺制造，有和于批量生产 ，且便于与廉价的高 性能讯号处理电路集成在同一芯片上，可实现对磁场矢量的不同分量同时探测．但是早先提 出的MT结构只能用来测量垂直或平行于芯片表面的磁场分量，这种只对磁场某一分量敏感 的一维磁敏器件已不能满足实际需要．铡如：在要求测量磁感应强度绝对值的场合下，外磁 场与敏感器件表面很难严格地保持垂直或平行，此时就需要一种能同时测量磁场三维分量的 敏感器件 ．此外，由于对磁体材料或其他磁源的磁力线空间分布测量、地磁测量 以及用来作 为新型接近式开关和无触点角编码器，也需要能同时测量磁感应强度 的三维磁矢分量 (丑 、 ， B；)的MT器件． S．Kordic 于1986年首先发表了一种 NPN一3D磁敏晶体营．这种双极型磁敏器件的 空间分条率高，但三个方向 (、Y、0)上灵敏度比相差较大 (为 8：1s：1)，且其工作电压 范围小 (≤5V)，温度稳定性差 ．作者 曾于1988年研究 了一种把测量 丑 分量的 C：一对 电极 放在基区内的改进结构 ” ，获得了成 分量高灵敏度的结果．L．I·Ristic等 “于1989年提 出了采用标准 CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管 (LMT)三维磁敏器件．它以P阱为横向 ‘丰谭厦幕传感技术 台开放国寡重点宴驻室1988年度资助项 目 车稿 日甥t19口O年12月3o日 传 {舂 技 乖 学 撮 NPN磁敏管的基区， 其实质还是一种双极型 MT． 该结构的主要缺点是它 的交叉灵敏度 大． 本文设计了一种新型Si—MOS3-D磁敏器件，借助于已出现的两种双扩散 MOS结构： 工作 电流平行于芯片 表面流动的横 向双扩散 MOS(LateralDouble—diffusedMOS)和工 作 电流垂直于芯片表面流动 的纵向双扩散 MOS(VerticalDouble—diffusedMOS)， 给出 了LDMOS与VDMOS并台的新型MT器件设计、制造工艺以及器件磁敏特性测量结果． 2 器件设计及灵敏度分析 MOS型三维磁场敏感器件是在高阻 P型 Si(i00)单晶村底上集成有能探测垂直于芯片 表面的 分量的LDMOs管和能探测平行于芯片表面的 B 、B 分量的VDMOS管 (图1)， 它们的源区和薄栅介质区是公共的．在LDMOs中，由公共源极出发的电子流经过沟道区沿 着与芯片表面平行的方 向注入N型外延层后被间距为101xm的双漏极D… D 所收集．在外 延层 中运动的电子流因受 B：的 Lorentz力作用而偏移，使 I：≠， ， 此时 △，：一 (I： 一 ， )与B 成 比例．在 VDMOS中，由公共源极出发的电子流经过沟道区后改变为沿着与 芯片表面垂直的方 向向下流动，通过外延层抵达各 自的N 埋层，再经过各 自的深 N 区， 被两对漏极 (Dx—D )和 (DrD})所收集．同样地，电流增量 klxx(=Ix-J)和 5,Iv (一 ，y一，})分别与磁矢B 和B。成比例． 如图2所示：电子流 向下流动到达埋层前受到磁场作用，其偏离距离与霍尔角 ， 有 关 tan0Ⅱ一 HHB