砷化镓晶圆直接接合之相对角度与电性的关系31研究背景与文献回顾.PDF

三、砷化鎵晶圓直接接合之相對角度與電性的關係 3.1. 研究背景與文獻回顧 化合物光電半導體的應用中，經常需要結合各種不同的半導體。結合的方式除 了一般的異質磊晶製程外，還包括了晶圓接合製程來結合晶格常數差異較大的兩材 料。然而在晶圓接合製程中經常使用所謂的晶圓直接接合製程(Wafer direct bonding technique) ，廣泛的被應用在許多光電元件的整合上，近年來最大的應用就屬發光 二極體和雷射二極體。 在第一章已經提到過了接合介面的影響因素，其中包括了兩大項：一個是介面 的潔淨程度或者是殘留物 (原生氧化層) ；另一個是晶圓之間相對的旋轉角度差。 這兩項對於接合介面的物理性質會有非常顯著的影響，原生氧化層的影響在第二章 已經討論過了，文中提到了介面之原生氧化層對於電性有很明顯的關聯，明確的點 出了介面電阻會隨著接合介面原生氧化層存在而提高。另一方面，影響因素的第二 項即是晶圓之間相對的旋轉角度差，將在這一章節作一些討論。這研究其實已經被 前人討論，在 Y. Okuno的論文中，將晶圓接合的方向歸類為順相 (In-phase)與反相 (Anti-phase) ，［1 ］而兩者的區別是在於接合時兩試片旋轉90 度與否。利用圖 3.1 來做示意，圖中指出了順相與返相的差異性，在圖3.1中順相結構就有如一完美晶 體，而反相結構就有如雙晶。 Y. Okuno的研究是將 n-型砷化鎵與n-型磷化銦基材接合，以製做面射型雷射二極 體。接合溫度大約為 600-700℃，時間為30分鐘。3.1圖中能夠明顯的看出兩者的差 別接合時的差異主要是接合時的旋轉角度所造成，若兩晶片的表面方向皆是 [100]，當兩晶片以大平邊相對並且對面相接觸，兩晶片的原子排列狀況就如圖3.1(a) 中的反相結構。若將兩晶片以大平邊為基準相互旋轉 90度，則兩晶片的原子排列狀 況就會像圖3.1(b)中的順相結構。因此，在晶體結構上兩者確實是具有明顯的差異。 接合後製作1.55 µm的長波長雷射二極體，順相結構的雷射二極體確實是比反相結 構雷射二極體的特性好。［1 ］這論文中提到，順相結構元件無論是起使電壓以及輸 出功率皆比反相好，其特性如圖3.2所示。但是，一樣是此作者在後續發表的論文 中順相與反相兩者電性卻無太大差異， ［2 ］同一作者前後結果竟相互矛盾，因此這 論點將是值得被探討的。 另一方面，在另一研究群中利用兩表面方向皆為 [100]往 [101]方向偏 2 度的 n- 型磷化銦鎵與 n-型磷化鎵在 1000℃執行晶圓接合。論文中，探討的是接合介面各 種旋轉角度與電性的關係，研究中證實晶圓接合的相互旋轉角度與電性有密切的關 係。［3 ］圖3.3是各種旋轉角度與接合介面電阻的關係，圖中明顯的看出這研究將 - 70 - 接合細分為許多角度，由0度旋轉到 180度，電阻變化剛好是一個週期性的分佈， 電阻最低值是出現在接合旋轉角度為 0 度與 180度。論文中提到當旋轉角度為 0 度時 (大平邊相對準) 其兩晶片的表面方向差值為0度，然而，當旋轉角度為 180 度，其真實的表面方向差值為 4度，但是其電阻值卻相同。另一情況將試片相互旋 轉 90度，在這狀況下其真實的表面方向差值為 2.83度，而電阻的最大值的卻是出 現在這角度。 圖 3.1順相與反相晶圓接合的差異［1 ］ - 71 - 圖 3.2 順相與反相結構之雷射二極體特性差別［1 ］ 圖 3.3 n-型的磷化銦鎵與n-型磷化鎵在不同的旋轉角度執行晶圓接合之電壓電 流特性［3 ］ - 72 - 另一方面，晶圓本身表面偏移角度也是一影響因素，在 Kish 與本實驗中所使用 的晶片具有 2 度的表面偏移角度，因此，相對旋轉角 180°時造成的兩晶片方向差 異角 (Misorientation)最多是 4度，在相