磁电式传感器-MOOC9_1_01兼容模式-武汉大学.PDF

传感器技术 主讲人： 吴琼水 武汉大学电子信息学院 第9章 磁敏传感器 1 霍尔式传感器 2 磁敏二极管和磁敏三极管 霍尔元件 霍尔元件 霍尔传感器为载流半导体在磁场中有电磁效应 （霍尔效应）而输出电动势的一种传感器。 随着半导体技术的发展，开始用半导体材料 制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得 到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量电流、磁场、 压力、加速度、振动等方面的测量。 霍尔元件 霍尔元件 霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔 （A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构 时发现的。当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于 磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象便是 霍尔效应。这个电势差也被叫做霍尔电势差。 霍尔元件 霍尔元件 一、霍尔效应 B d b FL I v FE UH l 一个金属 （导体）薄片或半导体薄片，当在它的两端通过控制电 流I并且同时在薄片的垂直方向上加上磁感应强度为B的磁场时， 在垂直于电流和磁场的方向上就会产生电动势U ，这种现象叫做 H 霍尔效应。U 就叫做霍尔电动势或霍尔电压。 H 霍尔效应的产生是运动电荷在磁场中受到洛仑兹力作用的结果。 一、霍尔效应 霍尔元件 霍尔效应演示 d a b c 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向 内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起 霍尔电势。 一、霍尔效应 霍尔元件 设霍尔元件为N 型半导体 半导体中自由电子在磁场作用下产生定向运动，每个电子受洛 仑兹力F 的作用，F 的大小为：F = qvB L L L 在F 的作用下电子运动产生漂移，结果使金属导电板一面累积电 L 子，而另一面累积正电荷，从而形成了附加内电场EH ，称霍尔电 场。 一、霍尔效应 霍尔元件 设霍尔元件为N