知识管理作业二.DOC

STN/TN-LCD、TFT-LCD與LED，其製造流程與廢氣產生源差異，分述如下： 1. STN/TN - LCD 製造程序為將洗淨之玻璃基板，經薄膜處理(另稱沉積)、光阻塗佈、曝光、顯影、蝕刻、光阻剝離與洗淨等步驟，製成基板中間產品，再將基板中間產品切成適當大小填入液晶與貼上偏光片，經組裝測試合格後即得STN/TN-LCD成品。STN/TN-LCD各製程所產生之廢氣包括： (1)薄膜(沉積)製程之無機毒性廢氣排放(SiH4、PH3、NF3…等) (2)光阻塗佈之VOCs廢氣排放(有機溶劑、光阻劑) (3)顯影製程之鹼氣(如KOH)排放 (4)蝕刻製程之酸氣(鹽酸、硝酸)排放 (5)基板清洗之VOCs排放(有機溶劑) 2. TFT – LCD TFT-LCD製程與STN/TN-LCD類似，但程序較為繁複，最大的不同在製造過程玻璃基板需經多次「清洗→薄膜→光阻→塗佈→曝光→顯影→蝕刻→光阻→剝離→洗淨」步驟(與半導體製程中沉積光罩曝光顯影蝕刻須多次重複極為相似)，始完成陣列基板製造，所得之陣列基板再與彩色濾光片結合，進行後段面板組裝、裝填液晶、測試等步驟後，方完成TFT-LCD成品。TFT-LCD各製程中所產生之廢氣源與STN/TN-LCD類似，但排放量較大。。 3. LED 依產業鏈特性關係，可區分為上游(晶圓製作、磊晶成長)、中游(擴散製程、金屬蒸鍍、晶粒製作)及下游(產品封裝、看板組裝)，與半導體業之製程(晶圓生產、晶圓製造、IC封裝與測試)類似。上游產業的生產流程依序為：原料(Ga、As、P等)單晶棒(GaAs、GaP等材料)單晶片(single crystal wafer)在單晶片上成長多層的磊晶→磊晶片，此階段成品包括單晶片及磊晶片，常用的磊晶技術包括液相磊晶LPE(Liquid phase epitaxy)，氣相磊晶VPE(Vapor phase epitaxy)，分子束磊晶MBE (Molecular beam epitaxy)與有機金屬化學氣相磊晶MOVPE(Metal-Organic vapor phase epitaxy)等。中游晶粒製程包括磊晶片擴散製作金屬電極(metallization)金屬蒸鍍光罩蝕刻熱處理晶粒切割等單元，此階段成品為各種發光晶粒。下游的封裝製程則包括切割、焊線、封膠、電鍍等操作單元。LED製程除切片單元以外，均會產生空氣污染物，如蝕刻製程中需使用高濃度酸液進行，擴散製程則需使用高揮發性有機溶劑進行氣相沉積，此外，磊晶沉積、電漿蝕刻(Plasma etching)和離子植入等製程技術，也必須使用具高毒性、致癌性和燃燒性的氣體，因此，排放之空氣污染物包括VOCs廢氣、無機酸氣及毒性或爆炸性氣體，與以矽為主之半導體業類似。