考虑场板边缘效应的SOI-pLDMOS表面电场模型及-东南大学学报.PDF

第４５卷第２期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ．４５ Ｎｏ．２ 　 ２０１５年３月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｍａｒ．２０１５ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－０５０５．２０１５．０２．００３ 考虑场板边缘效应的ＳＯＩｐＬＤＭＯＳ表面 电场模型及器件优化设计 叶　然　 张春伟　 刘斯扬　 孙伟锋 （东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京２１００９６） 摘要：针对带有栅极场板的绝缘体上硅ｐ型横向双扩散场效应晶体管（ＳＯＩｐＬＤＭＯＳ），提出了 一种新型表面电场解析模型．相比于传统模型，该模型充分考虑了场板边缘效应对电场分布的影 响，验证结果显示新模型能更好地符合Ｍｅｄｉｃｉ数值仿真结果．此外，基于所建立的器件表面电场 模型，研究了栅极场板长度（包括多晶硅场板和金属场板）及漂移区掺杂浓度对器件表面电场分 布和击穿特性的影响，进而对ＳＯＩｐＬＤＭＯＳ进行了优化设计．流片测试表明，所建立的新型表面 电场解析模型能够很好地指导器件参数设计，实现了器件耐压和导通电阻的最佳折中． 关键词：解析模型；表面电场；ＳＯＩｐＬＤＭＯＳ；边缘效应 中图分类号：ＴＮ４３２　　文献标志码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２０１５）０２０２１４０５ ＳｕｒｆａｃｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｆｉｅｌｄｍｏｄｅｌｏｆＳＯＩｐＬＤＭＯＳ ｃｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇｅｄｇｅｅｆｆｅｃｔｏｆｆｉｅｌｄｐｌａｔｅａｎｄｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｄｅｓｉｇｎ ＹｅＲａｎ　 ＺｈａｎｇＣｈｕｎｗｅｉ　 ＬｉｕＳｉｙａｎｇ　 ＳｕｎＷｅｉｆｅｎｇ （ＮａｔｉｏｎａｌＡＳＩＣＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｎｅｗｓｕｒｆａｃｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｆｉｅｌｄａｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｉｓｐｒｅｓｅｎｔｅｄｆｏｒｔｈｅｐｔｙｐｅｌａｔｅｒａｌｄｏｕｂｌｅ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎＭＯＳ（ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｂａｓｅｄｏｎｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩｐＬＤ ＭＯＳ）ｗｉｔｈｇａｔｅｆｉｅｌｄｐｌａｔｅ．Ｃｏｍｐａｒｅｄｗｉｔｈｔｈｅｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌ，ｔｈｅｐｒｏｐｏｓｅｄｍｏｄｅｌ ｆｕｌｌｙｃｏｎｓｉｄｅｒｓｔｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｔｈｅｅｄｇｅｅｆｆｅｃｔｏｆｆｉｅｌｄｐｌａｔｅｕｐｏｎｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｆｉｅｌｄｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ．Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｐｒｅｓｅｎｔｅｄｍｏｄｅｌａｃｃｏｒｄｓｗｉｔｈｔｈｅＭｅｄｉｃｉｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓｂｅｔｔｅｒ．Ｉｎａｄｄｉｔｉｏｎ，ｂａｓｅｄ ｏｎｔｈｅｎｅｗａｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌ，ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｌｅｎｇｔｈｏｆｔｈｅｇａｔｅｆｉｅｌｄｐｌａｔｅ（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇｔｈｅｐｏｌｙｓｉｌｉ ｃｏｎｆｉｅｌｄｐｌａｔｅａｎｄｍｅｔａｌｆｉｅｌｄｐｌａｔｅ）ａｎｄｔｈｅｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆｐｄｒｉｆｔｏｎｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｆｉｅｌｄｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｓ ａｎｄｂｒｅａｋｄｏｗｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓａｒｅｒｅｓｅａｒｃｈｅｄ．Ａｌｓｏ，ａＳＯＩｐＬＤＭＯＳｉｓｏｐｔｉｍａｌｌｙｄｅｓｉｇｎｅｄ．Ｔｈｅｔｅｓｔ ｒｅｓｕｌｔｓｄｅｍｏｎｓｔｒａｔｅｔｈａｔｔｈｅｎｅｗｓｕｒｆａｃｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｆｉｅｌｄａｎａｌｙｔｉｃａｌｍｏｄｅｌｃａｎｇｕｉｄｅｔｈｅｄｅｓｉｇｎｏｆｄｅ ｖｉｃｅｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｎｄｒｅａｌｉｚｅｔｈｅｂｅｓｔｃｏｍｐｒｏｍｉｓｅｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｂｒｅａｋｄｏｗｎｖｏｌｔａｇｅａｎｄｏｎｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ