n09第4章 半导体存储器1课件.pptVIP

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n09第4章 半导体存储器1课件

; 存储器概述 半导体读写存储器 只读存储器 主存储器的组成与寻址 高速缓冲存储器 8086/8088的主存储器;;1、按存储介质分类;2、按存取方式分类;;5、按串、并行存取方式分类;二、存储器系统的分级结构;存储容量,存取时间,存储周期;※ 存储容量;存储器芯片的数据线有1位、 4位、8位。 芯片内部是将4位组合为一个单元;8位组合为一个单元。;※ 存取时间;;一、静态RAM的基本结构;一、基本结构及组成;1.存储矩阵;地址译码器接收来自CPU的地址信号,并产生地址译码信号(行列译码线)。 以便选中存储矩阵中某一个或某几个基本存储电路单元(存储位),使其在控制逻辑的控制下进行读写操作。;存储容量:256×1位;存储器控制逻辑接收来自CPU或外部电路的控制信号,如读RD,写WR等信号。经过组合变换后,对存储矩阵、地址译码器以及三态双向缓冲器进行控制。;;4.三态双向缓冲器;写入操作 芯片开放信号CE 及写开放信号WE有效 地址线选中某个存储单元。;典型的SRAM芯片6116、6264、62256等。;芯片6264引脚;2114引脚排列及逻辑符号;1、Intel 6116 静态 RAM; A0~A10 11根地址线;行 选 择;Intel 6116 读写操作;SRAM的特点 读写速度快 所用管子数目多,单个器件容量小 T1、T2总有一个处于导通状态,功耗较大;二、动态RAM的存储单元(DRAM);读:行选线有效,T1导通,刷新放大器读取C的电压值,转换为对应的0或1,重写到C。列选线有效,信息输出到数据线。 写:行选线有效,T1导通,列选线有效,外部信息通过刷新放大器和T1送到C。 刷新:行选线有效,T1导通,电容C上的信息送到刷新放大器,刷新放大器对电容立即进行重写。列选线为0,数据不会送到外部数据总线上。;从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍,所用的时间间隔称为刷新周期(或再生周期),一般为2ms。;2.动态RAM实例;2、Intel 2164A动态RAM;Intel 2164A 引脚说明;Intel 2164A;Intel 2164A结构框图;图 2164内部结构示意图 ;DRAM的特点 所用管子少,芯片位密度高 功耗小 需要刷新 存取速度慢;随着芯片技术发展,存储器容量不断提高。;DRAM的种类;SIMM——Single Inline Memory Module 单列直插式内存模块 72线:32位数据、12位行列公用地址、RAS#、CAS#等 在Pentium微型机中必须成对使用 FPM/EDO;DIMM——Dual Inline Memory Module 双列直插式内存模块 168线:64位数据、14位行列公用地址、RAS#、CAS#等 可单数使用 FPM/EDO/SDRAM;例题;;◎ 只读存储器ROM的分类;现场编程ROM;可改写的PROM;;二、掩模 ROM电路;表4-1 掩膜ROM的内容;ROM结构框图;◎ ROM阵列示例;;三紫外线擦除可编程ROM(EPROM);常用UVEPROM;Intel 2716-EPROM存储器;2716的引脚排列;Intel 2764-EPROM存储器(略);;1、用ROM作字符发生器; 行译码器;;存储64个字符的ROM结构;;BIOS是BASIC INPUT/OUT PUT SYSTEM的缩写,中文意思为基本输入/输出系统。 BIOS是一个初始化程序,是计算机系统的一个核心程序,控制着计算机部件(包括板卡,外设)的运作。 存于E2PROM或FLASH ROM中。 ;;例:用16K×1 → 16K×8的存储器;;字扩展法组成的64K×8位RAM;;3、 字位扩展法;一片存储芯片容量为2k×4位,片内地址线需11根。A10~A0; 总存储容量8K,由地址线高位A12、A11译码输出4根线(片选),分别选中不同的页(组)。 00;第一页 01:第二页 10:第三页 11:第四页;;;;74LS138译码器逻辑图、引脚图、功能表;P9;二、半导体存储器与CPU的连接;;线选例图;;2)采用译码器连接方案;;;;三、半导体存储器的设计步骤;;5、CPU的时序和存储器存取速度的配合;;A14 A13 A12; A14 A13 A12 A11 A10……...…..A0 最低地址: 1 1 0 , 0 000,0000,0000 最高地址: 1 1 0 , 0 111,1111,1111;8位CPU与ROM连接; 6116地址范围 A0

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