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§1 半导体基础知识 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子 二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 三、PN结的形成 当扩散＞漂移时，扩散继续进行,造成载流子的进一步耗尽，交界面宽度增加 电荷量的增加造成内建E增强 漂移运动增强，最后两者达到动态平衡 在交界面处形成宽度，电荷量稳定的空间电荷区 PN结 四、PN 结的单向导电性 根据理论分析得其特性表达式： 4、PN 结的电容效应 §1.2 半导体二极管 一、二极管的类型和结构 二、二极管的伏安特性 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 三、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大平均值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向击穿电压UBR ： 最大反向工作电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 1、稳压二极管 五、二极管的等效电路 3. 折线模型（实际模型） 1.判断二极管是导通还是截止？ 假设电路中二极管全部开路，分析二极管两端的电位。 a、理想二极管： 若某管阳极电位大于阴极电位，则接上二极管后，该管 导通；反之，二极管截止。 例:首先将二极管D1和D2断开，求两管将承受的电压。对D1管：UB1A=UB1-UA=[0-（-12）]V=12V；对D2管：UB2A=UB2-UA=[(-15)-（-12）]V=-3V。二极管接入后，D1正偏电压大而处优先导通状态， §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构及类型 晶体三极管的型号 三、晶体管的放大作用 电流分配与放大：IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 四、晶体三极管的特性曲线 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 1.电流放大系数 2.极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 （3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 场效应管——结型场效应管JFET 1.结构和符号 场效应管——结型场效应管JFET 2.工作原理 结型N沟道场效应管和P沟道场效应管的工作原理是一样的，它们的区别在于管子的工作电压极性相反。 结型场效应管是利用栅、源反偏电压uGS的电场作用来控制PN结的宽窄，从而控制沟道的电阻来达到控制漏极电流iD的大小。因此改变反向电压uGS即可控制漏极电流iD。 结型场效应管是一个电压控制型器件。 场效应管——结型场效应管JFET 3.特性曲线 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用 当uGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。（设UT=2V， uGS=4V） ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 N沟道绝缘栅型场效应管 1.N沟道 P沟道绝缘栅型场效应管 2.P沟道 4. MOS管的主要参数 （1）开启电压UT （2）夹断电压UP （3）跨导gm ：gm=?iD/?uGS? uDS=const （4）直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，输入电阻可达109～1015。 ① U（BR）EBO——集电极开路时，发射极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般几伏～十几伏。 ② U（BR）CBO——发射极开路时，集电极与基极之间允许的最大反向电压。其值一般为几十伏～几百伏。 ③ U（BR）CEO——基极开路时，集电极与发射极之间允许的最大反向电压。 在实际使用时，还有 U（BR）CER、U（BR）CES 等击穿电压。 - - (BR)CEO U (BR)CBO U (BR)EBO U 1.4 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称