.大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响.pdfVIP

第57卷第1期2008年1月 物理学报 1000．3290／2008，57(01)10477．05ACTAPHYSICASINICA @2008 Chin．Phys．Soe． 大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散 及其对发光效率的影响* 李炳乾1’ 刘玉华1’ 冯玉春2’ i)(佛山科学技术学院光电子与物理学系，佛山528000) 2)(深圳大学光电子学研究所，广东省光电子器件与系统重点实验室，光电子器件与系统教育部重点实验室，深圳518060) (2007年3月14日收到；2007年5月24日收到修改稿) 由于自加热效应的存在，大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多，实验中，芯片 温度超出环境高达147 K．从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中，将p-n结和等效串联电阻上的电压降落 分离出来，得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况．在输入电功率自加热效应的影响下，大功率 0降低到0．9 GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化，其阻值由低输入功率时的1．2 Q，然后再升高到1．9Q， 等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加，最高时接近50％，成为大功 率输入时影响LED流明效率的主要因素． 关键词：自加热，等效串联电阻，发光二极管，流明效率 PACe：7280E，7865P，7860F，7840G 对LED的光电特性产生很大的影响bo． 1．引 言 实际的CaN基LED可以看作由一个理想的二 极管和一个等效串联电阻组成，本文通过大功率 diodes。LEDs)的发光 发光二极管(1ightemitting LED的电流．电压特性曲线，将耗散在P．n结和等效 效率包括内量子效率(光的产生效率)和提取效率两 串联电阻上的功率分离出来，研究了它们对于大功 个部分，其中提取效率由芯片及封装的几何结构和 率LED发光效率的影响，指出了P型GaN基材料电 材料光学特性决定，内量子效率反映出载流子在结 阻率过大仍然是影响GaN基大功率LED发光效率 区的辐射复合概率．内量子效率表现出很强的温度 的主要因素，降低P型GaN基材料的电阻率，可以 依赖特性，发光强度随温度的变化而改变…，同时温 有效降低大功率LED的等效串联电阻以及消耗在 度还会改变材料的能带宽度，使得LED的波长产生 等效串联电阻上面的电功率，提高大功率LED发光 飘移怛J．由于所谓的自加热效应，在LED使用过程效率． 中，发光波长也会随着输入电流改变而发生变化¨1． 2．自加热效应对能带宽度和反向饱和 大功率LED被认为是全固体照明的基本器件，只有 当单个封装LED输入功率达到5W，流明效率达到 电流的影响 2001m／W时，半导体照明技术才有可能同传统照明 半导体材料的能带宽度表现出很强的温度依赖 光源展开全面竞争¨1．输入LED的电功率，除了一 特性，随着温度的升高，能带宽度呈现出单调下降的 部分转换为可以输出的光能量之外，其余能量都直 趋势，其关系可以用Varshni公式№’描述为 接或间接地转换为热量耗散