.少子寿命.doc

在硅的各种加工过程中，硅表面上通常都有离子吸附，它们引起半导体内的表面势垒产生耗尽层或反型层。光照在半导体表面时，能量稍大于半导体禁带宽度的光子，将会把价带中的电子激发到导带，从而形成电子空穴对，并向低密度区扩散。由于表面上存在着耗尽区，其电场将电子-空穴分离，产生表面光电压（SPV）。 理论计算 （1） 其中对于耗尽层 A=qn0/KTexp(qV/KT ) 对于反型层 A=qui2/KTnO 在小注入条件下寿命值τ与扩散长度L的关系，即：或 ，扩散系数D为已知常数，因此通过扩散长度测量可以立即计算出寿命值。 用SPV测量扩散长度的方法： （1）恒定表面光电压法，其特点是测量过程中单色光的波长度变化时，表面光电压恒定不变，可对电阻率为0.1~6Ω·cm、少子寿命短到20ns的硅单晶进行测量。一般认为表面光电压(ΔV)是非平衡载流子浓度的函数。根据光照强度Φ与表面光电压△V的函数关系： （2） 其中，对于给定的样品，M是一个常数，对于F（△V）在测量过程中，即在改变 光源波长时（吸收系数α随之而和），调节光强Φ，使表面光电压△V保持不变，于是F（△V）在测量过程中也保持为常数，在数次改变波长（即改变α-1）后，得到相应的Φ值，即有一组：α-11，Φ1；α-12，Φ2；……α-1n，Φn数据，以Φ为纵标，α-1为横座标，联成一直线，并将直线延长到Φ=0得： （3） 该直线的截距即为要测的扩散长度（样品（或处延层） 的厚度必须大于4倍扩散长度，如果小于扩散长度的一半，则测得的不是在外延层中的扩散长度，而是衬底中的扩散长度）， 如图所示： （2）恒定光通量法 即Φeff是恒定的。根据（1）式 扩散长度L可以Φeff/△V对α-1的直线图确定 (3） 测试样品制备： 样品一般要求进行化学抛光，化学腐蚀或机械抛光，以除去表面的机械损伤层。去油清洗烘干，尽快装入样品盒，再放入装有表面干燥剂的屏蔽盒内，干燥3-4小时。腐蚀液P4A——（如果需要）符合电子级 1的50 mL 浓硝酸 (HNO3), 30 mL 浓氢氟酸 (HF), 和30 mL 冰醋酸 (CH3COOH)，5：3：3将腐蚀剂混合 SPV 技术要求Si片表面存在势垒，对于P型样品一般不需经过处理就可测量, 但当表面光电压太小(如小于1 mV) 时,可用HF或缓冲的HF (BHF) 溶液处理, 再经高纯去离子水(DIW) 冲洗干净后,干燥即可; 对于N型样品,需用强氧化剂对表面进行氧化, 形成空间电荷层。 测量时可以用单色光，也可用干渉滤光片，优点是能够低成本提供大面积光照。也可用激光器，样品-屏栅组合必须是无振动的，否则容易在斩波频率处发生电容调制。 实验装置如图 所示 钨丝灯发出的光 经单色仪分光后照到探测器和样品 上 在 拼一 的波长范围内 改变人射光波长 调节光子通量密度 保持样品上光电压讯号大小不变 由探测器测得不同波长时光子通量密度的相对值 把入射的相对光子通量密度 对作图 其直线在 上的截距绝对值就是扩散长度。 为了将表面光电压讯号进行放大 把人射光线以频率为 的斩波器调制成交流电 。品表面光电压讯号 由 的选频放大器进行放大 该放大器能检测 的讯号 光源采用溴钨灯， 由调压变压器调节电流 用并联在标准电阻上的交流数字电压表指示光源上的电流 。入射光经机械斩波器切割成脉冲光 ，为了使斩波器稳定 同步马达由一音频信号发生器和功率放大器稳定频供电。 单色仪分辨率为50 样品两侧用薄云母片绝缘 受光面用导电玻璃做电极，背光面用铜做电极，构成电容器 信号经电容器和1013高阻藕合到静电放大器 用锁定放大器或选频放人器放大 并由数字直流电压表读 出，为防止其它信号干扰 样品盒和静电放大器放在5mm厚的铁盒内屏敝, 所有机外引线均用屏敝线.。 打开光源、斩波器、锁相放大器，用来自单色仪或滤色盘的可见光调整光学系统。如果使用单色仪，移去锐截止滤光片，在可见光范围内使用更高级的衍射方式。 2设置单色仪或滤色盘至最短的使用波长（最高能量），通常为0.8 μm (1.55 eV) 3在样品架上放置样品产生电容或其他接触面进入测量位置。 4 调节照明强度到最大功率的一半或最大振幅的70%。 5调节锁向放大器的频率和相位连接样品获得最大信号。如果样品和探测器使用同一放大器，在每次阅读前需要调节放大器的相位。 6记录SPV的最相近的振幅信号，VSPV. 7将单色仪或滤色盘设置到数据所需的最长波长（最低能量）(通常块状硅样品为1.04 μm (1.19 eV) ，外延硅材料为1.0 μm (1.24 eV))，对扩散长度短(20 μm)，最长的波长可以为1