习题答案(刘睿)课件.docVIP

6.1 半导体存储器有哪几种类型？各有什么特点？ 半导体存储器可分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM两种。 RAM具有使用灵活、读写方便的特点，但有易失性；ROM由专门设备写入数据，数据一旦写入就不能随意修改，具有非易失性。 6.2 什么是RAM？RAM有哪几种类型？各有什么特点？ RAM是一种可以随时存入或读出数据的半导体存储器。分为静态SRAM和动态DRAM两类。SRAM存储单元是利用触发器的记忆功能来存储数据，在不断电的情况下，存入SRAM的数据会一直保留直到新的信息写入。DRAM存储单元是利用MOS管栅极电容能够存储电荷的原理制成，所以存入DRAM的数据需要定期刷新，以免数据丢失。 6.3 RAM的电路结构有几部分构成？分别是什么？ RAM的电路结构主要由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分构成。 6.4 进出RAM有3类信号线，分别是哪3类？ 进出存储器的信号线有地址线、数据线和控制线。 6.5 一个4096×8位的RAM，其地址线和数据线各为多少？ 地址线为12条；数据线为8条 6.6 一个存储器有32位地址线，8位数据输入/输出线，试计算它的存储容量。 存储容量=232×8=32G 6.7 下列存储器的容量哪个最大？哪个最小？它们的地址线各有几条？ （1）4086×1位 （2）2048×4位 （3）1024×8位 （4）64 K×4位 （1）容量为4086，地址线为12条； （2）容量为8192，地址线为11条； （3）容量为8192，地址线为10条； （4）容量为262144，地址线为16条。 容量最大的为（4），容量最小的为（1）。 6.8 欲实现32K×8位的RAM需几片8 K×4位的RAM？ 8片 6.9容量为256×4的RAM有多少个地址线？多少个数据线？每个地址有多少个存储单元？试用256×4的RAM扩展成1024×4的RAM，采用什么方法？画出连线图。 256×4的RAM有8条地址线，4条数据线，每个地址有4个存储单元。 将256×4的RAM扩展成1024×4的RAM，采用字数的扩展方法。连线图略。 6.10试用2K×4的RAM扩展成2K×16的RAM，采用什么方法？画出连线图。 将2K×4的RAM扩展成2K×16的RAM，采用位数扩展的方法。连线图略。 6.11 什么是ROM？ROM有哪几种类型？ ROM是只读存储器，一般由专用装置写入数据，数据一旦写入，不能随意改写，切断电源之后，数据也不会消失，即具有非易失性。 ROM的种类很多，从制造工艺上可分为二极管ROM、双极型ROM和MOS型ROM三种；按内容更新方式的不同，可分为固定ROM、PROM、EPROM、E2PROM和闪式ROM。 6.12 画出用ROM实现下述逻辑函数时的阵列图： （1） （2） 解： (1)将函数化为标准与-或形式的最小项表达式 (2)确定存储单元内容 该ROM有3个输入端和2个输出端，把A、B、C作为地址输入变量，、作为数据输出。 (3)将ROM的存储矩阵画成简化图 在字线和位线的交叉点上用小圆点表示1，没有小圆点表示0。 6.13 试用ROM构成一个全加器电路，画出阵列图。 解： (1)写出全加器的表达式 (2)将表达式化为标准与-或形式的最小项表达式 (3)确定存储单元内容 该ROM有3个输入端和2个输出端，把、、作为地址输入变量，、作为数据输出。 (4)将ROM的存储矩阵画成简化图 在字线和位线的交叉点上用小圆点表示1，没有小圆点表示0。 6.14 试用PLA实现下面逻辑函数，并与ROM阵列实现比较： 解： 由表达式画出PLA的逻辑电路  6.15 试用PLA产生下列一组与或逻辑函数，画出PLA的阵列图。 解： 由表达式画出PLA的逻辑电路 6.16 试用PAL设计一个数值比较器，输入是两个二位二进制数、，输出是两者比较的结果（时值为1）、（时值为1）和（时值为1）。 解： (1)写出数值比较器的逻辑表达式 (2) 由表达式画出PAL的逻辑电路 6.17 简述CPLD和FPGA的主要异同之处。 CPLD在一个器件内集成了多个类似GAL的大模块，大模块之间通过一个可编程集中布线池连接起来，在CPLD中，所有的信号引脚都可编程。 FPGA内含许多独立的可编程逻辑模块，用户可以通过编程将这些模块连接起来实现不同的设计。FPGA具有高密度、高速率、系列化、标准化、小型化、多功能、低功耗、低成本，设计灵活方便，可无限次反复编程，并可现场模拟调试验证等特点。 习题 7.1数字信号和模拟信号有什么区别？D/A转换器和A/D转换器在数字系统中有何重要作用？ 数字信号是在时间上和数值上都离散变化的信号。模拟信号是指在时间上和数值上都连续