电工电子技术 第5章习题 半导体器件课件.ppt

第5章 半导体器件习题课;例题及选择题;例5-1 图示电路中，二极管为理想二极管。试分析其工作情况，并求流过二极管的电流。;(b)图中，二极管反向偏置，VD２可视为开路：;R;(1) 先判断VD1的状态：把VD1从图中取下，如图所示。;(3) 根据上述判断可以画出等效电路:;例5-3 图示电路中，VD1和VD2均为理想二极管，直流电压 Ｕ1＞Ｕ2，ui、uo是交流电压信号的瞬时值。试求: (1) 当uiU1时, uo=？(2) 当uiU2时, uo=？;(1) 当uiＵ１时。二极管VD１的正极经R1接Ｕ1，二极管的负极接ui 。由于ui U1, 所以VD1反向偏置，理想二极管VD1此时可视为开路。VD2的正极经R2接U2，VD2的负极经R1接U1。由于U1U2, 所以VD2也是反向偏置，VD2也可视为开路。VD1和VD2均做断开处理后的电路如图所示。; (2) uiU2时。由于U1U2 ，而U2ui，所以U1ui ，此时VD1正向偏置，理想二极管VD1可视为短路。VD1做短路处理后UBC =ui，这时VD2的负极接ui ，VD2的正极经R2接U2。由于U2ui ，所以VD2正向偏置，理想二极管VD2亦可视为短路。;例5-４ 在图示电路中，Ｅ＝5V、ui=10sinωt(V)、 VD为理想二极管，试画出输出电压uo的波形。;(1) ui正半周，且ui5V时。VD的正极经R接ui，其负极电源E。由于ui5V ，所以VD反向偏置，理想二极管VD可视为开路，此时uo=ui 。;(3) ui为负半周时。 ui为负半周时，VD反向偏置，理想二极管VD可视为开路。由图可知， uo=ui ，即在ui为负半周时, uo的波形与ui的波形是一致的。;例5-5 两个稳压管VSZ1和VSZ2的稳压值分别为5.5V和 8.5V，正向压降均为0.5V，要得到6V和14V电压， 试画出稳压电路。;例5-6 某晶体管的集电极电流 ic 为1.6mA。穿透电流ICEO为0.2mA，电流放大系数 ?＝40，求基极电流ib和发射极电流 ie。;例5-7 用直流电压表测某电路中三只晶体管的三个电极对地的电压，其数值如图所示。试指出每只晶体管的E、B、C三个极，并说明该管是硅管还是锗管。;管的;1;1;例：单相桥式整流电路，已知交流电网电压为 220 V，负载电阻 RL = 50?，负载电压Uo=100V， 试求变压器的变比和容量，并选择二极管。;例：;取 RLC = 5 ? T/2;5-1 本征半导体掺入五价元素成为( ) 本征半导体 b) N型半导体 c) P型半导体;5-5 当PN结正偏时 , 空间电荷中载流子的扩散运动和漂移运动相比( ) a) 前者强于后者 b) 后者强于前者 c) 二者平衡;5-9 二极管的导通条件是( ) a) u D 0 b) uD死区电压 c) uD 死区电压 ;5-12 在二极管的反向特性中，反向电流是由（ ）的（　　）运动形成的。 少数载流子 扩散 b) 少数载流子 漂移 c) 多数载流子 扩散 d) 多数载流子 漂移 ;5-15 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V, 内阻为零的电池正向连接, 该管( ) a) 击穿 b) 电流为零 c)电流正常 d)电流过大使管子烧坏 ;5-17 图中给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性。硅管的特性曲线（ ） a)由a和c组成 b)由a和d组成 c)由b和c组成 d) 由b和d组成;5-19 图示的几条曲线中, 表示理想二极管正向伏安特性的是( ) ;5-21 稳压管稳压电路如图所示, 其中UZ1=7V, UZ2=3V , 该电路的输出电压为( ) a) 0.7V b)1.4V c) 3V d) 7V;5-22 稳压管电路如图所示, UZ1=UZ2=7V, 正向导通时UD=0.7V, 其输出电压( ) V。 a) 1.4V b) 7V c) 10V