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击穿的物理本质 （1）雪崩击穿：碰撞电离 （2）齐纳击穿：场致激发 （3）热击穿： PN结过热 正向: 温度升高? PN结电压减小（-2.5mV/℃） 反向: 温度升高? 反向电流增大（ ） 例1.2.1 直流工作点Q 其他类型的二极管 发光二极管 P25 光电二极管 P26 应用 作业 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 (2)输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=const 现以iB=60uA一条加以说明。(NPN) 输出特性曲线可以分为三个区域: 四. BJT的主要参数 1.电流放大系数 2.极间反向电流 （3）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 3.极限参数 Ic增加到一定大的值时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 温度对晶体管特性及参数的影响 其他 例1.3.1 例1.3.2 光电三极管：比光电二极管更敏感 作业 其他 P49 表！ 例1.4.1 例1.4.2 例1.4.3 作业 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V时： USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IC Icmax(=2 mA)， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是?的关系） 第四节 场效应三极管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 场效应管的主要参数 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子（多数载流子），故称为单极型三极管。 分类： 结型场效应管 绝缘栅场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 N沟道 P沟道 P沟道 一、结型场效应管 1. 结构 N型沟道 耗尽层 g d s P+ P+ N沟道结型场效应管的结构和符号 栅极 漏极 源极 2. 工作原理 uGS = 0 UGS(off) uGS 0 uGS = UGS(off) ⑴ 当uDS = 0 时， uGS 对耗尽层和导电沟道的影响。 ID=0 ID=0 N型沟道 g d s P+ P+ N型沟道 g d s P+ P+ g d s P+ P+ iS = iD iD iS iD iS uGS=0，uGD UGS(off) UGS(off) uGS 0 ，uGDUGS(off) ⑵ 当UGS(off) uGS 0 ，uDS ＞ 0 时对耗尽层和 iD 的影响。 N P+ P+ VGG VDD g d s N P+ P+ VDD g d s uGD=uGS-uDS N P+ P+ iD iS VGG VDD uDS 再增加，使uGD UGS(off)， 夹断区延长， iD基本恒定 但是不同的 uGS对应确定的iD 导电沟道预夹断 UGS(off) uGS 0 ，uGD=UGS(off) ⑵ 当UGS(off) uGS 0 ，uDS ＞ 0 时对耗尽层和 iD 的影响。 （1）输出（漏极）特性 iD=f（uDS）|uGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)|8V IDSS uGS=0 -4 -2 -6 -8 iD/mA uDS/V O uGS - uDS=UGS(off) 可变电阻区： iD 与uDS 基本上呈线性关系， 但不同的uGS 其斜率不同。 恒流区：又称饱和区， iD 几乎与uDS 无关， iD 的值受uGS 控制。 N沟道结型场效应管的漏极特性 击穿区： 反向偏置的PN结被击穿， iD 电流突然增大。 夹断区 3. 特性曲线 uDS= uGS - UGS(off) （2）转移特性 iD = f（uGS）|uDS=常数 g d s mA V V ID VGG VDD 场效应管特性曲线测试电路 Ｎ沟道结型场效应管 转移特性　 IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 uGS 0 利用场效应管输入电阻高的优点。 uGS/V iD/mA O 3. 特性曲线 二、绝缘栅场效应管 1. N沟道增强型MOS场效应管 ⑴ 结构 P型