拟CMOS电路分析总结.pdfVIP

本文主要介绍MOS 管电路的相关计算，主要应用于模拟CMOS 集成电路设计。本文 是针对于拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》前三章的归纳总结，并结合自己的理解， 对典型电路进行分析计算。本文致力于介绍用直观的方法计算电路的相关参数，或者只是 简单的计算。本人上传到百度文库的另外一篇文章《三极管电路分析》介绍了用直观的方法 计算BJT相关参数的方法，该文中的思想和本文中的是相似的，建议也可以看看，该文中 介绍的交流通路的相关内容本文就不重点介绍了。还是要说明的是，本人学习CMOS电路 也就一年的时间，没有流片经验，不保证本文内容完全正确，望以批评的态度看本文。 本文主要是计算MOS管电路的输出阻抗R和电压增益A。 1 1 11 小信号模型 G D D V g V GS m GS G S S （a）NMOS管 （b） 简单小信号模型 G D V g V r g V GS m GS o mb BS S V BS V B （c）完整的MOS管小信号模型 熟悉小信号模型是必须的，直观的方法就是要对小信号模型相当的理解，要将看到的 （a）中的图形想成（c）中的图形。不考虑各种二级效应就是（b）图，MOS管是压控器件， VGS电压控制DS间电流，输入阻抗为无穷高，所以MOS管相对于BJT就是不需要计算输 入阻抗。图（c）为包含两种二级效应的完整的MOS管小信号模型，其中 为衬底电压， V r B o 是由沟道长度调制效应引起的，g V 是由体效应引起的。只有在考虑这两种效应时才有 mb BS 这两项，否则没有。忽略这两种效应就是图（b）。图中的电压和电流源的方向是值得特别注 意的。需要说明的是，图（c）同时适用于PMOS管和NMOS管，只不过PMOS管的V 为 GS 负值，相应的改变电流源方向而已。V 也是一样。 BS 最终，我们应该看到图（a）中，GS间是电压V ，GD间永远是断开的，DS间是两 GS 个压控电流源和一个电阻，要高度重视他们的方向。 2 2 22 一个简单的例子 V D D