拟电子技术基础第2章.pptVIP

其中 PN结的伏安特性 IS ——反向饱和电流 VT ——温度的电压当量 且在常温下（T=300K） 2.2.2.3 PN结的I-V方程 PN结的电压和电流之间的关系为： PN结的伏安特性曲线如图所示。 处于第一象限的是正向伏安特性曲线， 处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 正向偏置： U0.1 反向偏置： |u|0.1 2.2.3 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加， 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 此现象称为PN结的反向击穿。 2.2.3 PN结的击穿特性 1、雪崩击穿 PN结的反向电压大于某一值( )时,反向电流突然剧增，这种现象称为PN结的击穿 发生击穿所需的电压称为击穿电压（UBR） 低参杂、高电压 2、齐纳击穿 高参杂、低电压 1、雪崩击穿 反向电压 少子动能 少子速度 碰撞共价 键中电子 产生自 由电子 电流剧增 条件：低参杂、高电压 （耗尽区宽碰撞机会多） 对硅材料： 2、齐纳击穿 条件：高掺杂、低电压 （耗尽区窄，低电压产生强电场） 对硅材料： 低电压产 生强电场 产生空 穴电子对 电流剧增 耗尽区窄 拉出共价 键中电子 2.2.4 PN结的电容效应 PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。 一是势垒电容CB ， 二是扩散电容CD 。 (1) 势垒电容CB 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。 势垒电容示意图 当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。 (1) 势垒电容CB 随着外加电压的变化离子薄层的厚度的变化情况。 外加反向电压高 外加正向电压低 u=0时的 n ： 为变容指数 为内建电位差 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。 (2) 扩散电容CD 反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形 成类似的浓度梯度分布曲线。 PN结正偏时 ，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 扩散电容示意图 PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同 正向偏置 外加电压不同 扩散电流大小不同 相当电容的充放电过程。 势垒电容和扩散电容均是非线性电容 (2) 扩散电容CD 如果引起 的电压变化量为 则: PN结上的总电容为: 温度升高时，反向电流将呈指数规律增加。 对硅材料温度每增加10℃，反向电流将约增加一倍。 对锗材料温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 温度升高时， PN结的正向压降将减小， 每增加1℃，正向压降UF(UD)大约减小2mV， 即具有负的温度系数。。 2.2.5 PN结的温度特性 温度对PN结的性能有较大的影响。 * 半导体基础知识 3 2.1 PN结 2.2 场效应晶体管 3 2.5 双极型晶体管 2.4 晶体二极管 3 2.3 晶体管低频小信号模型 2.6 第二章 常用半导体器件原理 2.1.1 本征半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体：硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体导电性能受温度、光照和掺杂影响。 2 -1 半导体物理基础 导 体 半导体 绝缘体 有良好的导通性 对电信号起阻断作用 导电能力介于导体和绝缘体之间 １、外层４个电子； ２、共价健 ＋４ 半导体特性：半导体导电性能受 温度、光照和掺杂影响。 2 -1 半导体基础知识 结构特点 物质的导电能力由物质原子的内部 结构和原子间的组合方式决定。 无自由 电子 受掺杂影响 受光照影响 受温度 影响 半导体的 导电特点 硅晶体的 空间排列 共价键结构 平面示意图 晶体结构完整 化学成分纯净的半导体称为本征半导体 无杂质 纯净 在物理结构上呈单晶体形态。 2.1.1 本征半导体 2 -1 半导体基础知识 单晶硅 一、半导体中的载流子 １、热力学温度0K无外界激发 2.1.1 本征半导体 2 -1 半导体基础知识 2.1.1 本征半导体 2、热力学300K室温，产生自由电子 一、半导体中的载流子 光照激发 (c) 自由电子 空穴 本征激发 一、半导体中的载流子