第3章 半导体器件.ppt

第3章 半导体器件 最大集电极电流ICM 极间反向击穿电压UBR 最大集电极耗散功率PCM ④ NPN型晶体管的温度特性 温度每升高10oC， ICBO约增大1倍 温度每升高1oC，β约增大0.5%~1% 2、NPN型晶体管模型 由NPN型晶体管组成的电子电路 + + - - ui uO RC RB UCC UBB RL ui足够小条件下，将静态工作点Q附近晶体管特性线性化，根据叠加定理，晶体管电压uBE = UBEQ+ube、uCE = UCEQ+uce，电流iB = IBQ+ib、iC = ICQ+ic ——电子电路的动态分析=静态分析+交流小信号分析 电子电路的静态分析——静态工作点Q——偏置UBB、UCC单独作用时晶体管电压UBEQ、UCEQ，电流IBQ、ICQ 电子电路的交流小信号分析——静态工作点Q附近——交流小信号ui单独作用时晶体管电压ube 、uce，电流ib、ic + - UO RC RB UCC UBB RL 偏置UBB、UCC单独作用时 图解——输入电路线性部分——输入直流负载线 输入电路非线性部分——晶体管输入特性 在允许一定误差条件下，将晶体管输入特性用折线近似 UBB Uon iB/μA uBE/V + - UO RC RB UCC UBB RL 图解——输出电路线性部分——输出直流负载线 输出电路非线性部分——晶体管输出特性 在允许一定误差条件下，将晶体管输出特性用折线近似 UCC uCE/V iC/mA iB = 20?A iB = 0 iB = 40?A iB = 60?A iB = 80?A UCES ①晶体管的直流模型 用于近似晶体管输入特性的折线与电压源和开路组合的VCR曲线在功率允许和偏置条件下吻合 Uon iB/μA uBE/V 晶体管在功率允许和偏置条件下的输入端可以抽象为电压源开关模型 i2 0 u2 u1 0 i1 i2 0 i1 1 i2 0 i1 β——电流比，无量纲 CCCS的图形符号 i1 u2 + - i2 受控电源关联两条支路——控制支路与受控支路 受控电源的VCR方程——电压u1、u2与电流i1、i2之间的约束关系——与电路结构无关——元件约束 受控电压源受控支路的电压与流过本支路的电流无关，但与控制支路的电压或电流存在约束，流过受控支路的电流由与之相连接的外电路决定 受控电流源受控支路的电流与本支路两端的电压无关，但与控制支路的电压或电流存在约束，受控支路两端的电压由与之相连接的外电路决定 受控电源不是激励 受控电源的参考方向——应将控制支路与受控支路的参考方向一起标出，没有控制支路的参考方向，受控电源的参考方向没有意义 在电路中一般将控制支路与相邻支路合并而不单独画出 2、含受控电源的电路分析 ①节点分析法 受控电流源的处理—— 将受控电流源的控制量转换为节点电压 将受控电流源看成独立电流源列写方程后移项整理 例1，求图示电路的节点电压 设参考节点和节点电压U1、U2、U3如图 U1 U2 U3 I 2Ω - + 4Ω 2V 4Ω 4Ω I U1 U2 U3 I 2Ω - + 4Ω 2V 4Ω 4Ω I U1 = 2(V) U1 U2 U3 I 2Ω - + 4Ω 2V 4Ω 4Ω I 节点2和节点3的节点方程 受控电压源的处理—— 将受控电压源的控制量转换为节点电压 受控电压源只与一个节点关联——受控电压源给出该节点电压与其它节点电压的约束关系——补充方程——不必列写该节点的节点方程 受控电压源同时与两个节点关联 ——受控电压源给出该两个节点电压的约束关系——补充方程 ——列写该节点的节点方程时设待求电流流过受控电压源，将受控电压源看成待求电流的电流源 ②叠加定理及其应用 每一个独立电源单独作用——所有受控电源保留，受控电流源的控制量为该独立电源单独作用所产生的电压或电流分量 例2，求图示电路的I + - 6V 3Ω 3Ω 3A 3I1 I I1 6V电压源单独作用所产生的电流分量I + - 6V 3Ω 3Ω 3I1 I I1 3A电流源单独作用所产生的电流分量I 3Ω 3Ω 3A 3I1 I I1 叠加 ③戴维南-诺顿定理及其应用 N内全部独立电源置零所对应无源电阻单口N0——所有受控电源保留 例3，求图示电路的I 2U 5Ω 10Ω - + U I 9A 2U 5Ω 10Ω - + U I 9A 2Uoc 10Ω 9A Uoc - + I = 0 求端口开路电压Uoc时I = 0 5Ω电阻以外的含源电阻单口网络 求N内全部独立电源置零所对应无源电阻单口N0的等效电阻——外接电源法 - + U 2U 10Ω I 10Ω 9A U = 0 - + Isc 或求端口短路电流Isc时U = 0→2U = 0 -9A -0.5Ω 5Ω