集成电路工艺制成介绍2课件.pptVIP

珠海亚力电子有限公司研发部 离子注入 离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般CMOS制程，在约需要6~12个或更多的离子注入步骤。通常在注入前需生长200Ao-400 AoSiO2，防止“通道效应”。优点是可能精确调整掺杂浓度及分布。 热氧化与热制程 制程初期，高温不影响元件制作，采用热氧化：Pad Oxide、Fox、 牺牲性氧化层（Sacrificial Oxide） 每生长1000AoSiO2，将消耗约400A的硅。 SiO2的作用：①gate;②Pad Oxide; ③mask;④Sacrificial Oxide;⑤FOX. 热氧化与热制程 主要的退火制程有： ①后离子注入（Post Ion Implantation）； ②金属硅化物（Silicide）的退火。 主要硅化金属材料有：WSix, TiSi2（用于Salicide制程）, MoSi2 退火后，金属硅化物电阻率可降到只有原来的10%。在源漏contact处，为防止pick发生，做阻障层（Barrier Layer）TiN，但会影响欧姆接触，需溅镀Ti，退火后生成电阻很小的TiSi2。 热氧化与热制程 BPSG——硼磷硅玻璃（Borophosphosilicate Glass） BPSG进行热流动（Flow）所须的玻态转变温度较低850℃。 SOG（Spin-On Glass）溶液式二氧化硅，蒸除溶剂，固化400℃。 RTP（Rapid Thermal Processing）——快速热处理。 基于900℃热制程会影响源漏的结深及MOS有效沟道长度，而提出的典型应用是Salicide制程。 Short Channel NMOS的制作流程 图显示一个含LDD设计的n型MOS电晶体的截面结构，是一个为防止“短通道效应”采用LDD设计NMOS，避免因局部高电场所演生的热电子现象。 Short Channel NMOS的制作流程 下面来看NMOS的流程： Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 Short Channel NMOS的制作流程 以后的薄膜沉积将使用温度较低的APCVD、PECVD，低于450℃ 保护层：Si3N4与BSG，防止损坏Al CMOS制程 n井CMOS结构，其中PMOS由于热载子（Hot Carrier）现象不严重，因此，没有所谓的LDD设计。 CMOS制程 流程： CMOS制程 CMOS制程 CMOS制程 CMOS制程 CMOS制程 CMOS制程 CMOS制程 基本完成CMOS前段流程 薄膜技术：降低所需温度、阶梯覆盖能力 微影技术：光阻解析度，聚焦深度 蚀刻技术：非等向性，选择性 多种金属连线制程 界面的平坦化会影响曝光的聚焦，从而影响图形传递的精确度与解析度。由于AL的熔点较低，所以后续的薄膜沉积只能用温度低于450℃的PECVD技术，另外先前的BPSG由于热流温度850℃～900℃，也不能再用了。 多种金属连线制程 SOG旋涂玻璃（Spin-On Glass）可用的一种平坦化技术，沟填能力（Gap Fill）强 多种金属连线制程 SOG缺点： 1. 易造成微粒（Particles） 2. 有龟裂及剥离（Delamination）现象 3. 有残余溶剂“出气（Outgassing）”问题 多种金属连线制程 下图是实际应用采用的结构，这一技术可以进行制程线宽到0.5μ的沟填（Gap Fill）与平坦化。列有两种主要的SOG的平坦化流程。 多种金属连线制程 紧接着，SOG的制程将分为有/无回蚀两种方式。 CMP化学机械研磨法（Chemical-Mechanical Polishing） 这是唯一一种能提供XLSI全面平坦化的技术，由IBM公司提出。 The End 在有回蚀的SOG制程中，上完SOG的晶片，将进行电浆干蚀刻，以去除部分的SOG 然后再沉积第二层PECVD SiO2，而完成整个制作流程 至于“无加蚀”的SOG制程，则在晶片上完SOG之后，直接进行第二层PECVD SiO2的沉积。 堪铂狡胀蛰偶葛俏骏顽蹬寥拦秩惦胀滤恕啤豢眠国荐凸销本捻晓蛙抬裂籍集成电路工