手机中二极管,三极管,LDO,DCDC电路资料.docx

二极管一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。二极管的主要特性：正向性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，正向电流几乎为零。当正向电压继续加大，二极管正向导通。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。反向性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。击穿外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。当电压达到约0.7V时，二极管完全导导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。二极管的反向击穿齐纳击穿反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。二极管是最常用的电子元件之一，他最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的。二极管应用：1.检波二极管2.限幅二极管二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。3.开关二极管4.稳压二极管这种管子是利用二极管的反向击穿特性制成的，在电路中其两端的电压保持基本不变，起到稳定电压的作用。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。5.肖特基二极管它是具有肖特基特性的金属半导体结的二极管。其正向起始电压较低。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。5.瞬变电压抑制二极管TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。二极管主要参数：1、最大整流电流IF是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。2、最高反向工作电压U加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。3、动态电阻Rd二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。4、最高工作频率FmFm是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以Fm的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。5、电压温度系数αuzαuz指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。uz为6v左右的稳压二极管的温度稳定性较好。在手机中一般有三个地方会用到二极管：一处是马达电路，利用二极管抑制马达线圈的尖峰电压；另一处是DC-DC电路，构成续流二极管；最后一处是ESD防护，将两个背靠背的二极管做成TVS管，实现静电电荷或浪涌冲激的快速泄放。手机中用到的二极管生产公司NXP、SIG、芯导、罗姆NXP　二极管BZX585-C5V1低功率稳压器二极管，采用超小型SOD523 SMD塑料封装。总功耗：最大300 mW两个容差系列：+- 2%和+- 5%工作电压范围：标称值2.4 V至75 V（E24范围）非重复性峰值逆向功率损耗：最大40 W。一般稳压功能。NXP 二极管PMEG6010CEJ平面高能效通用型(MEGA)肖特基势垒整流器，带集成应力保护环，采用小型扁平引脚表面贴装设备（SMD）塑料封装。特性：正向电流：IF?≤ 1 A反向电压：VR?≤ 60 V极低正向电压小型扁平引脚SMD塑料封装低压整流高效DC-DC转换开关模式电源反向极性保护低功耗应用NXP 贴片TVS二极管PESD5V0S1B低电容静电放电(ESD)保护二极管采用超小型SMD塑料封装，保护单条信号线免受ESD和其他瞬态电压导致的损坏。特性:单条线路的双向ESD保护超过30 kV的ESD保护最大峰值脉冲功率：PPP = 130 WIEC 61000-4-2，第四级(ESD)低钳位电压：V(CL)R = 14 VIEC 61000-4-5（浪涌）；IPP = 12 A超低漏电流：IRM = 5 nA超小型SMD塑料封三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分