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No.11 期末总复习2008课件
Review;第一章 绪论;第二章 材料的结构;*;2.2 晶体学基本概念; ;*;Review;Review;Review;*;?; ;2.3 晶体材料的结构;Review;体心立方(BCC);Review;Review;2.3.2 离子晶体;2.3.3 硅酸盐结构;2.4 晶体缺陷;2.4.1 点缺陷;下标表示缺陷位置;
间隙位用下标i表示,M位置的用下标M表示,X位置的用下标X表示;
上标表示缺陷有效电荷。
正电荷用“?”(小圆点)表示,负电荷用“’ ”(小撇)表示, 零电荷用“×”表示(可省略)。; ;;点缺陷对材料性能的影响;2.4.2 线缺陷和位错; ;面缺陷和体缺陷;2.5 固溶体;第三章 材料的性能; ;第四章 材料化学热力学;?G0-T线的斜率:; ;杠杆规则;5.1 晶体生长技术
5.2 气相沉积法
5.3 溶胶-凝胶法
5.4 液相沉淀法
5.5 固相反应
5.6 插层法和反插层法
5.7 自蔓延高温合成法
5.8 非晶材料的制备;将欲生长晶体的原料熔化,然后让熔体达到一定的过冷???形成单晶
提拉法
坩埚下降法
区熔法
焰熔法
液相外延法
关注各种方法的原理、特点;5.1.2 溶液生长法; ;5.2 气相沉积法;5.3 溶胶-凝胶法;*;5.4 液相沉淀法;5.5 固相反应;5.6 插层法和反插层法;5.7 自蔓延高温合成法(SHS);5.8 非晶材料的制备;第六章 金属材料;6.2 超耐热合金; ;6.3 超低温合金;6.4 超塑性合金;6.5 形状记忆合金;6.6 储氢合金;6.7 非晶态金属材料;第七章 无机非金属材料; ;7.3 陶 瓷; ;7.4 半导体材料;7.5 超导材料;第八章 高分子材料;第九章 复合材料; ;第十章 纳米材料;关于考试;Review
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