多晶硅铸锭技术.ppt

多晶硅锭定技术及设备 一、前言 二、多晶硅锭的组织结构 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 四、多晶硅锭定向凝固生长方法 五、热交换炉型 六、热交换法现行工艺讨论 七、坩埚设备 一、前言 1、太阳电池产业是近几年发展最快的产业之一，最近5年来以超过40%的速度高速增长。 2、在各种类型的太阳电池中，晶体硅太阳电池由于其转换效率高，技术成熟而继续保持领先地位，占据了90%以上的份额，预计今后十年内晶体硅仍将占主导地位。 一、前言 3、太阳电池产业的飞速发展，带动硅锭/硅片的需求也大增，2004年以前，我国光伏产业链中晶体硅硅片的生产厂家还只有两、三家，生产能力也只有几十兆瓦。随着市场需求的增长，涌现了很多硅片生产企业，特别是多晶硅硅锭的生产向大规模化发展，单厂生产能力已达到百兆瓦级。 4、多晶硅锭生产设备主要从国外引进（美国GTSOLAR，德国ALD）。 二、太阳电池多晶硅锭的组织结构 1、太阳电池多晶硅锭是一种柱状晶，晶体生长方向垂直向上，是通过定向凝固（也称可控凝固、约束凝固）过程来实现的，即在结晶过程中，通过控制温度场的变化，形成单方向热流(生长方向与热流方向相反），并要求液固界面处的温度梯度大于0，横向则要求无温度梯度，从而形成定向生长的柱状晶。 二、太阳电池多晶硅锭的组织结构 定向凝固柱状晶生长示意图 二、太阳电池多晶硅锭的组织结构 2、一般来说，纯金属通过定向凝固，可获得平面前沿，即随着凝固进行，整个平面向前推进，但随着溶质浓度的提高，由平面前沿转到柱状。对于金属，由于各表面自由能一样，生长的柱状晶取向直，无分叉。而硅由于是小平面相，不同晶面自由能不相同，表面自由能最低的晶面会优先生长，特别是由于杂质的存在，晶面吸附杂质改变了表面自由能，所以多晶硅柱状晶生长方向不如金属的直，且伴有分叉 二、太阳电池多晶硅锭的组织结构 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 1、太阳电池硅锭的生长也是一个硅的提纯过程，是基于杂质的分凝效应进行的。如下图所示，一杂质浓度为C0的组分，当温度下降至T’’时，其固液界面处固相侧的杂质浓度为C*S。 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 2、对一个杂质浓度非常小的平衡固液相系统 ，在液固界面处固相中的成分与在液相中的成分比值为一定，可表达为平衡分配系数 K=C*S/C*L 其中， C*L液固界面处液相侧溶质浓度 C*S液固界面处固相侧溶质浓度 金属杂质在硅中平衡分配系数在10-4—10-8之间，B为0.8，P为0.35。 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 3、实际生产中固液界面还存在一个溶质富集层，杂质的分配系数还与该富集层的厚度、杂质的扩散速度、硅液的对流强度及晶体生长速度均有关，引入有效分配系数K’来表示： K ’ =K/[K+(1-K)exp(-Rδ/DL)] 式中:K’ 有效分配系数, K 平衡分配系数, R 生长速度cm/s, δ 溶质富集层厚度（固液界面的扩散层）cm （0.005-0.05）, DL 扩散系数cm2/s R或δ趋近于0，K’趋近于K时，最大程度提纯。 R趋近于∞，K’趋近于1时，无提纯作用。 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 三、定向凝固时硅中杂质的分凝 四、多晶硅锭定向凝固生长方法 实现多晶硅定向凝固生长的四种方法： 1、布里曼法 2、热交换法 3、电磁铸锭法 4、浇铸法 四、多晶硅锭定向凝固生长方法 1、布里曼法（Bridgeman Method） 这是一种经典的较早的定向凝固方法。 特点： ⑴坩埚和热源在凝固开始时作相对位移，分液相区和凝固区，液相区和凝固区用隔热板隔开。 ⑵液固界面交界处的温度梯度必须0，即dT/dx0，温度梯度接近于常数。 四、多晶硅锭定向凝固生长方法 1、布里曼法（Bridgeman Method） ⑶长晶速度受工作台下移速度及冷却水流量控制，长晶速度接近于常数，长晶速度可以调节。 ⑷硅锭高度主要受设备及坩埚高度限制。 ⑸生长速度约0.8-1.0mm/分。 缺点：炉子结构比热交换法复杂，坩埚需升降且下降速度必须平稳，其次坩埚底部需水冷。 坩埚 热源