2011第八章离子注入.pptVIP

第七章 离子注入 离子注入基本概念 离子注入的特点 离子注入系统组成 注入损伤和退火 离子注入的应用 §8.1 离子注入 离子注入机示意图 离子注入机的终端口 8.1.1离子注入优点 1.产生单一离子束； 2.精确控制杂质含量； 3.低温工艺； 4.对杂质深度有很好的控制； 5.无固溶度限制； 6.横向扩展比扩散要小得多； 7.可以对化合物半导体进行掺杂； 扩散和离子注入的比较 离子注入缺点 产生晶格损伤； 注入设备的复杂性。 掺杂的目标是什么？ 回答：1.向硅片引入均匀的、可控数量的特定杂质; 2.把杂质放在希望的深度。 如何控制掺杂浓度和结深？ 控制杂质浓度和深度 离子注入机示意图 1. 剂 量 定义：单位面积硅片表面注入的离子数Q ，单位是原子每平方厘米 I：束流，当杂质离子形成离子束，它的流量被称为离子束电流，单位是安培； t：注入时间，单位是秒； e：电子电荷=1.6x10-19库仑； n：离子电荷（比如B+等于1）； A：注入面积，单位cm2 剂 量 离子注入机有中低电流、大电流之分 中低电流：0.1mA～10mA 注入剂量1011-1013ions/cm2 大电流：10～25mA 注入剂量大于1014ions/cm2 2.射程 射程与能量 射程和投影射程 投影射程 注入能量对应射程图 射程与能量 剂量与射程 掺杂深度由注入杂质离子的能量决定； 掺杂浓度由注入杂质离子束电流强度决定。 注入机分类 控制杂质浓度和深度 §8.2 离子注入系统 离子注入机组成： 离子源 吸极 质量分析器 加速管 扫描系统 工艺室 离子源和吸极装配图 杂质源 常用的杂质源有： 气体源：B2H6、BF3、PH3、AsH3； 固体源：砷、磷 离子源 1.功能：产生待注入物质的离子。 2.实现方法：利用等离子体，在适当的低压下，把气体分子借电子的碰撞而离化。 3.装置： 弧光反应室 Bernas 离子源和Bernas离子源 离子源 离子源 吸极 1.功能：收集离子源中产生的正离子，并使它们形成离子束。 2.实现方法：电场分离。 3.装置：两个电极。 吸极 质量分析器 1.功能：将所需要的离子从离子束中分离出来而将不需要的离子偏离掉。 2.实现方法：不同质量、不同带电荷数的离子经过磁场时，因为电磁力的效应，将以不同的半径偏转。 设离子作圆周运动的半径为r，则 则离子作圆周运动的半径： 设离子从弧光反应室与吸极电压差为V，则从弧光反应室分离出来的离子的能量为： 加 速 管 1.功能：使电子获得足够的能量 2.实现方法：利用电场，使离子在电场作用下加速得到一定的能量。 3.装置组成： 一系列圆环形电极组成。 加 速 管 加速系统的排列方式 1.先分析后加速 2.先加速后分析 3.前后加速，中间分析 4.前后分析，中间加速 §8.2 离子注入系统 高能注入机的线形加速器 方式比较 空间电荷中和 原因：离子束的膨胀。 危害：离子束的直径在行进过程中不断增大。 解决办法：二次电子中和。 空间电荷中和 中性束流陷阱 原因：中性离子的存在。 危害：不发生偏转，注入到硅片中央。 解决办法：利用偏转电极，使离子束在进入靶室前一段距离内发生偏转。 扫描系统 离子束通常很小，中等电流的注入机束斑约为1cm2，大电流的约为3cm2，所以必须通过扫描覆盖整个硅片。 固定硅片，移动束斑； 扫描方式分： 固定束斑，移动硅片。 保证剂量的统一性和重复性。 扫描系统 注入机中的扫描系统分类： 静电扫描 机械扫描 混合扫描 静电扫描 静电扫描 优点：颗粒沾污小，中性离子不会发生偏转，能够从束流中消除。 缺点：阴影效应 。 应用：中低电流的注入。 机械扫描 机械扫描 优点：每次注入一批硅片，有效地平均了离子束的能量，减弱了硅片由于吸收离子的能量而加热。 缺点：颗粒沾污 。 应用：大电流注入机。 混合扫描 离子束在静电作用下沿x轴扫描，硅片沿y轴扫描。 硅片充电 原因：正离子在硅片表面的积累 危害：改变离子束，使束斑扩大，剂量分布不均匀。 解决方法： 二次电子喷淋。 控制硅片充电的二次电子喷淋 控制硅片充电的等离子电子喷淋 §8.3 离子注入的基本原理 注入