纳米硒的制备及其光电性能.PDFVIP

３６ ３ Ｖｏｌ３６Ｎｏ３ 第 卷 第 期 桂 林 理 工 大 学 学 报 ２０１６ ８ ＪｏｕｒｎａｌｏｆＧｕｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ａｕｇ　２０１６ 年 月  文章编号：１６７４－９０５７（２０１６）０３－０５８３－０９　　　　　 ｄｏｉ：１０３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ１６７４－９０５７２０１６０３０２７ 纳米硒的制备及其光电性能 １ａ １ａ １ａ １ａ １ｂ ２ 　 ， 　 ， ， ， ， 王 伟 黎 燕 王苏宁 钟福新 朱义年 莫德清 （１ ａ ；ｂ ， 　５４１００４； 桂林理工大学 化学与生物学院 环境科学与工程学院 广西 桂林 ２ ， 　５４１００４） 桂林电子科技大学 生命与环境科学学院 广西 桂林 　 ： （ＩＴＯ） ， 。 摘 要 以导电玻璃 为基底 采用电沉积法制备纳米硒 在单一变量的基础上结合正交试验和响应 ， 。 ： １７Ｖ、 ３０℃、 面试验 探讨了制备条件对纳米硒光电压的影响 结果表明 在沉积电压 沉积温度 沉积时 ７ｍｉｎ、 １ｍｍｏｌ ， ， ０８６８４Ｖ； － 间 硫脲用量为 时 纳米硒的光电压值最高 达 由紫外 可见吸收光谱测得其禁 Ｅ＝１８４ｅＶ；ＳＥＭ ， ， １００ｎｍ， ３～６ ｍ； 带宽度 ｇ 分析发现 纳米硒呈棒状及莲花状结构 棒直径约为 长度为 μ ＸＲＤ ， ３ ， ２ ３７１８８°、４５２４６°、６０３２４° 表征结果显示 纳米硒主要为 种晶系的混晶系纳米晶体 在 θ为 处分 （１２０）、（２００） （２１１） ， ２ ３０１４１°、５０７０１° 别出现斜方晶系纳米硒的 和 晶面 在 θ为 处分别出现六方晶系纳米 〈１０１〉、｛１１－１｝ ， ２ ３５５２２° ［１２０］ ， 〈１０１〉 硒的 晶面 在 θ为 处出现单斜晶系纳米硒的 晶面 其中以 晶面和 ［１２０］晶面为择优生长取向。 ： ； ； 关键词 纳米硒 光电压 电沉积 中图分类号：ＴＱ１２５２　　　　　　　　　　　　　　文献标志码：Ａ ［１］ ［６］ Ｐ ， １６ｅＶ 。 ， ；Ａｎ