低能Ar离子束辅助沉积Ag111薄膜-上海应用物理研究所.PDF

第28 卷 第1 期 核 技 术 Vol. 28, No.1 2005 年1 月 NUCLEAR TECHNIQUES January 2005 低能Ar 离子束辅助沉积Ag(111)薄膜 1 1 1 1 1 1 2 江炳尧 蒋 军 冯 涛 任琮欣 张正选 柳襄怀 郑里平 1 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心 上海 200050 ） 2 （中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800 ） 摘要 采用低能Ar 离子束辅助沉积方法，在Mo/Si(100)基底上制备Ag 膜。实验发现，用Ar 离子束溅射沉积 的Ag 膜呈(111)择优取向。若在溅射沉积Ag 膜的同时，用能量为500 eV 的Ar 离子束沿衬底法线方向对Ag 膜进行辅助轰击，当离子/原子到达比为0.06 时，Ag 膜呈(111)择优取向；当离子/原子到达比增大到0.18 时， Ag 膜呈(111)和(100)混合晶向。若Ar 离子的入射角为35.26°，离子/原子到达比为0.06 时，Ag 膜呈(111)择优 取向；当离子/原子比增大到0.18 时，Ag 膜呈（111）和微弱的（100）混合晶向。若Ar 离子的入射角为54.7°， 离子/原子到达比为0.06 时，沉积的Ag 膜呈很强的(111)择优取向。 关键词 离子束辅助沉积，Ag 膜，沟道效应，择优取向 中图分类号 TG174.444 单晶Ag 薄膜或高度择优取向的Ag 薄膜在科学 束辅助沉积范畴，一般采用 Bradley 等人的理论解 研究上和工业生产上有着广泛的用途。因此近年来 释薄膜择优取向的实验现象。 不断有新的研究报道[1-4] ，以满足科学研究上和工业 本文采用低能 Ar 离子束辅助沉积方法，在 生产上的特殊需要。离子束辅助沉积（IBED ）是薄 Mo/Si(100)基底上制备择优取向Ag 膜，研究了Ar 膜合成的新技术，在控制薄膜生长取向方面有着显 离子的入射角度和离子/ 原子到达比对薄膜择优生 著的作用。对于bcc 结构的金属和fcc 结构的金属， 长的影响。并采用Monte Carlo 方法模拟低能Ar 离 在垂直离子束轰击下，分别容易出现（111）和（110） 子注入 Ag 单晶所引起的原子级联碰撞过程。对Ar 择优取向。若用一定能量、一定角度的离子束轰击 离子的溅射率与入射角的关系，进行了模拟计算， 正在沉积中的薄膜，可大大减少晶粒方位角的随机 与实验结果进行对比和分析，并根据 Bradley 的理 排列，即使在某些非晶衬底上，也能产生显著的择 论对Ag 膜定向生长的机理和特点作了初步的探讨。 优取向效应[5-7] 。1991 年，Iijima 用IBED 方法成功 合成了具有双轴排列的 YSZ 膜，并在其表面成功 1 计算模型与方法 [8,9] 。因此离子束辅助沉 生长了 YBCO 膜（PLD ） Ar 离子的入射角指 Ar 离子的入射方向与 Ag 积合成高度择优取向薄膜受到极大的重视。 膜表面法线方向的夹角。若Ag 膜表面为（100）晶 目前主要有二种理论解释这种实验现象。 面，其原子排列呈正方形。定义正方形某一边[100] Dobrev[10]认为轰击多晶薄膜的离子束也存在沟道 晶向为X 轴，方位角为0°。