可编程阵列逻辑PAL.DOC

第8章 存储器与可编程逻辑器件 8.1存储器概述 自测练习 存储器中可以保存的最小数据单位是（ ）。 （a） 位 （b） 字节 （c） 字 指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？ 2K×8位 （ ）（ ）（ ）（ ） 256×2位 （ ）（ ）（ ）（ ） 1M×4位 （ ）（ ）（ ）（ ） 3． ROM是（ ）存储器。 （a）非易失性 （b）易失性 （c）读/写 （d） 以字节组织的 4．数据通过（ ）存储在存储器中。 （a）读操作 （b）启动操作 （c）写操作 （d） 寻址操作 5．RAM给定地址中存储的数据在（ ）情况下会丢失。 （a）电源关闭 （b）数据从该地址读出 （c）在该地址写入数据 （d）答案（a）和（c） 6．具有256个地址的存储器有（　　　　）地址线。 　　　（a）２５６条 （b）６条 （c）8条 （d）16条 7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（　　　　　）。 　　（a）２５６×１位 （b）２５６×８位 （c）１Ｋ×４位　 （d）２Ｋ×１位 答案： 1． a 2．（a） 2048×8；2048；2048；8 （b） 512；256；256；2 （c） 1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；4 3．a 4．c 5．d 6．c 7．b 8.2随机存取存储器（RAM） 自测练习 动态存储器（DRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的。 为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（ ）操作。 半导体存储器按读、写功能可分成（ ）和（ ）两大类。 RAM电路通常由（ ）、（ ）和（ ）三部分组成。 6116RAM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位。 答案： 1．栅极电容，触发器 2．刷新 3．只读存储器，读/写存储器 4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路 5．11，8，2K×8位 8.3 只读存储器（ROM） 自测练习 ROM可分为（ ）、（ ）、（ ）和（ ）几种类型。 ROM只读存储器的电路结构中包含（ ）、（ ）和（ ）共三个组成部分。 若将存储器的地址输入作为（ ），将数据输出作为（ ），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。 掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（ ）。 28256 型EEPROM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位，是以字节数据存储信息的。 EPROM是利用（ ）擦除数据的，EEPROM是利用（ ）擦除数据的。 7． PROM/EPROM/EEPROM 分别代表（ ）。 8．一个PROM/EPROM能写入（ ）（许多，一）次程序。 9．存储器2732A是一个（ ）（EPROM，RAM）。 10．在微机中，4种存储类型为（ ）。 答案： 1．ROM，PROM，EPROM，EEPROM 2．存储矩阵，地址译码，输出控制电路 3．输入，输出 4．标准与或形式（最小项表达式） 5．15，8，32K×8 6．紫外线，电 7．可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器 8．一次/许多 9．EPROM 10．寄存器，高速缓存，主存，外存 8.4 快闪存储器（Flash Memory） 自测练习 非易失性存储器有（ ）。（a）ROM和RAM （b）ROM和闪存 （c）闪存和RAM Flash Memory的基本存储单元电路由（ ）构成，它是利用（ ）保存信息，具有（ ）性的特点。 Flash Memory 28