形成电流.PPT

第二章 材料的电学性能 导电性 晶体的能带 金属和合金的导电性 导电性的测量和应用 半导体的电学性能 绝缘体的电学性能 超导电性 热电性 压电性 磁电性 导电性 电阻与材料性能和尺寸的关系 电阻率 电导率 电阻温度系数 导体（纯金属10-8~10-7Ω·m， 合金10-7~10-5Ω·m ） 半导体（10-3~109Ω·m） 绝缘体（109Ω·m） 元素周期表 金属的导电理论 经典电子理论 金属晶体为正离子＋电子气 外加电场时，自由电子定向迁移，形成电流。自由电子与正离子机械碰撞产生电阻 影响导电性的因素 温度升高，离子热振动加剧，原子无序度加大，使电子散射几率加大，电阻率加大 冷加工使晶格畸变，使电子散射几率加大，原子间距有所改变，电阻率加大 压力通常使电阻率降低 热处理－通过晶格畸变、点缺陷、晶粒尺寸的变化影响电阻率 合金的导电性 马基申定律 低浓度下固溶体电阻 溶剂电阻（晶格热振动，电子散射），与温度有关，绝对零度时为零。 残余电阻（合金原子，空位、间隙原子及位错等），与温度无关。 低浓度下溶质原子引起的残余电阻与温度无关，固溶体的电阻温度系数低于纯金属，而固溶体电阻率随温度变化的斜率与纯金属相同。 高浓度下， 和 均随温度变化。 含有过渡金属元素时（如加入Mn），可能出现 锰铜精密电阻合金，具有低的电阻温度系数。 有序固溶体的导电性 固溶体有序化使点阵规律性加强，减小电子散射，使导电性加强。 冷加工破坏固溶体的有序度，增加电阻率。 电阻测量法是研究有序固溶体的有效方法。 不均匀固溶体（K状态）的电阻 固溶体中存在溶剂原子的偏聚区－成分波动或原子排列短程有序，故能强烈地散射电子，使电阻率增加。 回火能促使偏聚区的形成。 加热到高温或进行强烈的冷加工，使偏聚区消失，可降低电阻率。 铝铜合金。加热到单相区固溶；淬火形成过饱和单相固溶体；加温时效，析出GP区、θ’’，θ’等。 可用电阻分析法研究铝合金的时效过程。 金属化合物的导电性 金属化合物（如FeAl3,NiAl3）的导电性通常比其组元的导电性低得多，主要是金属键部分地为共价键或离子键所代替。 电子化合物（如Cu3Zn8）主要是金属键结合，导电性介于固溶体和金属化合物之间。 间隙相(如TiC)具有金属键和的特性，导电性较好。 多相合金的导电性 当合金为退火态、无织构，且组成相的电导率相近时（电导率之比约0.75~1.75），双相合金的导电性符合各项合金相加规律。 p、q为体积百分数。 c1、c2为质量百分数。 导电性的测量 电桥法（单电桥，双电桥－克服附加电阻） 直流电位差计测量法（消除连线电阻和接触电阻） 半导体电阻的测量（四探针法） 绝缘体电阻的测量（电容和冲击检流计测量法） 电阻分析的应用 合金的时效 合金的有序－无序转变 固溶体的溶解度 淬火钢的回火 半导体的电学性能 半导体中电子的能量状态－能带 满带、禁带和导带 本征半导体 N型半导体 P型半导体 PN结的特性 本征半导体－纯净的无结构缺陷半导体单晶，如单晶Si。 半导体受到热激发，满带中的部分价电子跃迁到空带中，形成自由电子和空穴。两者成对出现。 无外电场作用，自由电子和空穴运动无规则，不产生电流。 加外电场，电子逆电场方向运动，空穴顺电场方向运动，形成电流。故自由电子和空穴统称为载流子。 本征半导体的电学性能 本征载流子（自由电子和空穴）浓度相等： 迁移率－单位场强下自由电子和空穴的平均漂移速度 电流密度－单位面积的电流 电阻率和电导率 掺杂半导体 N型半导体 P型半导体 N型半导体电导率随温度的变化 随温度的增加，越来越多的施主杂质电子能进入导带，最后直到所有杂质电子全部进入导带。当达到这一温度时，称为施主耗尽。此时电导率为常数（因为温度太低，无本征电子及空穴的导电）。 通常选择在施主耗尽即平台温度的范围内工作。 PN结的产生及特性 超导电性 热电性－赛贝克效应 赛贝克效应（材料不同，组成闭合回路，两接头存在温差） 热电势率 热电子效应 热电子发射机理 固体受热（W等，加热1000℃以上），内部自由电子动能足够大，就会溢出固体表面形成热电子发射。 应用方式 加热，形成热电子发射 电场下形成定向运动 聚焦、调制形成电子束 轰击荧光屏形成光学图象 用于显像管、示波器、电子显微镜等 压电性 电偶极矩P（矢量）与电荷间距d及电荷量q的关系P＝qd 压电性的本质是晶体受力变形，导致正负电荷中心分离，晶体对外显示电偶极矩，表面出现束缚电荷。 纵向压电效应，横向压电效应 正压电效应－－力 电荷 逆压电效应－－电荷