电化学原子层外延及TeCd元素欠电势沉积研究-东南大学学报.PDF

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2017-08-23 发布于天津
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电化学原子层外延及TeCd元素欠电势沉积研究-东南大学学报

第2 8 卷第1 期东南大学学报 Vol2 8 No1 1998 年1 月 JO UR NAL OF SOU T HEA ST U N IV ERSI T Y Jan. 199 8 T eCd 樊玉薇李永祥吴冲若 ( 东南大学电子工程系, 南京2 10096 阐述了一种外沉积化合物半导体的新方法电化学原子层外 ( E- CA LE , 并对其基础欠电势沉积( U PD 进行了讨论. 着重研究了族元素 CdT e 的电化学欠电势沉积, 根据电化学循环伏安曲线, 研究了T e 与Cd 在S-i A u( 111 基片上以及交替生长过程中U PD 沉积电位及相应覆盖度值. 由此确定了在 Si-A u( 111 衬底上交替沉积T eCd 原子层的方法. 在此基础上, 初步进行了多次交替沉积, 并用 AF M 与 A ES 研究了所得样品表面形貌与成分. 电化学原子层外 ( E CAL E ; CdT e; 欠电势沉积( U P D ; U P D 电位; 交替沉积 O4841; O64 654 ; O6494 - CdT e [ 1] . , , ( MBE [ 2] ( MOV PE ( L PE . ( A L E [ 3] . , [ 4] , . , ( ECA L E , [ 5] . , , , . , ( . , ECAL E . ( UPD . ECA LE , UPD . UPD . - - . UPD Hevesy [ 6] , . UPD UP D UPD . , [ 6] , . , [ 7] U PD, . UPD - [ 8] , I I , Cu . : 1997- 07- 02, : 1997- 11- 25. 38 东南大学学报第28 卷 . , UPD [ 6] . - CdT e ECAL E , S-i A u ( 111 T e Cd