离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究.PDF

第 1 6 卷　第 2 期 液　晶　与　显　示 Vol. 1 6 , No . 2 　　 2 0 0 1 年 6 月 　 Ch inese Journal of L iquid C rystals and D isp lays 　 Jun. , 2 0 0 1 文章编号: (2001) 离子辅助沉积掺铝氧化锌透明导电膜的研究 初国强, 王子君, 刘星元, 王立军 ( 中国科学院 激发态物理开放研究实验室, 吉林 长春　130021; 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春　130022) 摘　要: 报道了采用离子辅助电子枪蒸发技术制备优质氧化锌透明导电膜的工艺和结果, 分 析了源掺杂, 镀膜气氛, 衬底温度等参数与膜的电导率及透光特性的关系, 作出了电阻率低 - 3 3 达 2 ×10 · , 厚为 400 的膜的方块电阻为 1 ×10 □, 可见光透过率大于 80% 的优 cm nm 质透明导电膜。实验表明氧离子辅助蒸发可增加氧化锌分子的能量, 提高其迁移率, 显著提 高薄膜的致密程度; 氧离子能使分解的锌原子充分氧化; 离子轰击可平滑薄膜表面。总之, 氧离子辅助蒸发在较低温度下形成优质氧化锌透明导电膜中起关键作用 关　键　词: 氧化锌; 透明导电膜; 离子辅助蒸发; 电子束蒸发; 氧化物半导体 中图分类号: O 484. 4　　　文献标识码: A 1　引　　言 ( ) ( ) 氧化锌 是重要的功能材料, 具有六角棱柱形铅锌矿晶格结构 6 晶系 。室 ZnO mm 温下能带隙为 3. 3eV , 系直接带隙 n 型半导体。ZnO 材料具有电导、光导、压电、声光、 发光、气敏传感器及化学催化等特性。另外 在 轴向与 失配度是 1. 9% , 在 ZnO a GaN c 轴与 GaN 失配度为 0. 4% , 因此高质量 ZnO 薄膜能作为 GaN 单晶薄膜的理想衬底。 ZnO 可以在很宽范围内得到调节和控制, 不同条件下生成的薄膜可以具有不同的功 [ 1 ] 能 。有可能向着光, 电, 声, 热等多功能集成化发展, 是一种很有希望的功能材料。 近年来 透明导电膜的特性受到特别的重视, 如用作 电池窗口电极, 其抗等 ZnO a Si 离子性能好, 可提高 电池性能。它也可作为液晶显示和光电传感器、场致发光器的