耗尽层的时域介电谱-无机材料学报.PDF

第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 , , 年 月 , ’ 耗尽层 的时域介 电谱 陈 敏 孙 少锋 李景德 中 山 大 学物 理 系 广 州 摘 要 从金属 一 半 导体 一 绝缘体 一 金属 层 的非线性效应和慢极化效应分析 了不 能用 正 弦 讯号 的频域方法来研 究其动态性质 的原 因 对 于这种结构 , 用 时域介 电谱方法 能更可靠地 分 出 结构 的接触层和 绝缘层 中空 间 电荷运动 的许 多重要 信 息 分 键类 时域介 电 , 耗尽 层 , 二氧化硅 , 硅单 晶 关 词 谱 号 引言 金属 一 半导 体 一 绝 缘 体 一 金属 层 结构 是半导体 电子 器 件 的基 础 研 究器 件在 电 路应 用 中的动 态 性 质和 击 穿效应 时, 必 须查 明其 中的耗 尽层 和 绝 缘膜 中空 间 电荷 的运 动规 律 传 统地 用 正 弦 讯 号 的频 域介 电谱方 法 来研 究 层 的 电容 下 面用 时域 和 频 域 介 电谱 两 种方法 , 对 同一 个样 品在 室 温 至 液 氮 温 区 的测 量 结果 作 了 比较 从 而 说 明时域 方 法 比频 域方法 更为 可靠 样 品和等效 电路 硅 单 晶 方 向切 片面 积 , 厚 在 其 一 面溅 射 电极 , 无 电极 一面 向下平放入 电解液面 内 电解液 由乙二 醇 、 磷酸 、 和 蒸馏 水 混 合而 成 以硅 片 向上 的 电极 接外 电源 的正 极 , 负极 为浸 入 电解液 中的另 一铜 棒 加 直流 电压 经 后 , 硅 片 的无 金 一 面 氧化 成 一 层 膜 再在膜 外溅射 另 一 金 电极 , 得 到 图 的 层 结构 由所用 型硅 片的 电阻率 可计算 出, 在 室 温 至 液氮 温 区其体 电阻不 超 过 几, 在 测 量 中这个 小 电阻可 以忽 略不 计 从 而 得 图 给 出的样 品 的等效 电路 和 间 的耗 尽 层 ’ 的 电容为 氏, 电阻为 膜 的 电容为 几 , 电阻为