金属和半导体接触引言：金属与半导体接触类型：1整流接触.DOC

第七章 金属和半导体接触 引言： 金属与半导体接触类型： 整流接触：金属与轻掺杂半导体形成的接触表现为单向导电性，即具有整流特性，但电流通常由多子所荷载。由于这种器件主要靠电子导电，消除了非平衡少子的 存储，因而频率特性优于p–n结；又由于它是在半导体表面上形成的接触，便于散热，所以可以做成大功率的整流器；在集成电路中用作箝位二极管，可以提高集成电路的速度，通常称为肖特基势垒二极管，简称肖特基二极管。 欧姆接触：这种接触正反向偏压均表现为低阻特性，没有整流作用，故也称为非整流接触。任何半导体器件最后都要用金属与之接触并由导线引出，因此，获得良好的欧姆接触是十分必要的。 §7.1 金属半导体接触及其能带图 本节内容： 金属和半导体的功函数 接触电势差 阻挡层与反阻挡层 表面态对接触势垒的影响 课程重点：金属的功函数：在绝对零度的电子填满了费米能级以下的所有能级，而高于的能级则全部是空着的。在一定温度下，只有附近的少数电子受到热激发，由低于的能级跃迁到高于的能级上去，但是绝大部分电子仍不能脱离金属而逸出体外，这说明金属中的电子虽然能在金属中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级。要使电子从金属中逸出，必须由外界给它以足够的能量。所以，金属内部的电子是在一个势阱中运动。用表示真空中静止电子的能量，金属功函数的定义是与能量之差，用表示，即 它表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱，越大，电子越不容易离开金属。半导体的功函数和金属类似：即把真空电子静止能量与半导体费米能级之差定义为半导体的函数，即。因为半导体的费米能级随杂质浓度变化，所以半导体的功函数也与杂质浓度有关。金属与半导体接触形成接触电势差，一部降落在金属与半导体的接触界面，一部分降落在半导体表面空间电荷层。金属与半导体紧密接触时，两者间接趋于原子间距，电子可以自由通过，这时接触界面的电势差表现为从半导体表面到半导体内部的电势之差，通常称为表面势。用表面势可以表示半导体一侧的势垒高度和金属一侧的势垒高度。在不考虑表面面态的情况下形成的势垒称为肖特基势垒，肖特基势垒高度是指金属一侧的势垒高度。 课程难点：表面态对接触势垒的影响：对于同一种半导体，用不同的金属与它形成的接触，其势垒高度应当直接随金属功函数而变化。但大量测量结果表明，不同的金属，虽然功函数相差很大，而对比起来，它们与半导体接触时形成的势垒高度相差却很小。这说明金属功函数对势垒高度没有多大影响。进一步的研究终于揭示出，这是由于半导体表面存在表面态的缘故。在半导体表面处的禁带中存在着表面态，对应的能级称为表面能级。表面态一般分为施主型和受主型两种。若能级被电子占据时呈电中性，施放电子后呈电中性，称为施主型表面态；若能级空着时为电中性，而接受电子后带负电，称为受主型表面态。一般表面态在半导体表面禁带中形成一定的分布，表面处存在一个距离价带顶为的能级，电子正好填满以下的所有表面态时，表面呈电中性。以下的表面态空着时，表面带正电，呈现施主型；以上的表面态被电子填充时，表面带负电，呈现受主型。对于大多数半导体，约为禁带宽度的三分之一，即位于价带顶以上处。由于半导体的费米能级高于，则半导体表面附近的电子向表面态转移去填充表面态能级，使表面带负电。这样在半导体表面附近缺少电子而形成正的空间电荷区。结果形成电子的势垒，这个势垒是由于表面态接纳半导体表面附近的电子形成的，而与金属无关。当半导体表面态密度很高时，它可屏蔽金属接触的影响，使半导体内的势垒高度和金属的功函数几乎无关，而基本上由半导体的表面性质所决定。当然，这是极端的情形。实际上，由于表面态密度的不同，紧密接触时，接触电势差有一部分要降落在半导体表面以内，金属功函数对表面势垒将产生不同程度的影响，但影响不大，这种解释附和实际测量的结果。 基本概念：表面态对半导体内势垒高度起着决定性作用，这一势垒模型最早由巴丁（Bardeen）提出，故又称巴丁模型。如果不考虑表面态的影响，称为肖特基（Schottky）模型。肖特基模型形成的接触，也称为肖特基节（参阅清华大学讲义，顾祖毅《半导体物理学》）。 阻挡层与反阻挡层：当金属与n型半导体接触时，若金属功函数大于半导体功函数，则在半导体表面形成一个正的空间电荷区，其中电场方向由体内指向表面，表面势小于零，它使半导体表面电子的能量高于体内，能带向上弯曲，即形成表面势垒。在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小的多，因此它是一个高阻的区域，常称为阻挡层。若金属的功函数小于半导体的功函数，则金属与n型半导体接触时，电子将从金属流向半导体，在半导体表面形成负的空间电荷区。其中电场方向由表面指向体内，表面势大于零，能带向下