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第 16卷 第 3期
Vo!.16 No.3
可伐预氧化工艺因素对金属—玻璃封接气密性的影响
曹 闰
(中国电子科技集团公司第 43研究所, 合肥 230022)
摘要:本文在不同氧化工艺、相同熔封工艺条件下制作金属一玻璃外壳,并模拟外壳实际应
用情况对其气密性进行了考核,分析了工艺因素对可伐预氧化及其对金属外壳气密性的影响。实
验结果表明,可伐合金在 N2+H2O 混合气氛下氧化随时间遵循抛物线的增重规律,在 850~C、N2
+H2O混合气、氧化 10~30分钟,外壳均可获得较高的气密可靠性。
关键词:可伐 预氧化 气密性 金属~玻璃
1引言 很多有价值的研究成果,为金属外壳的生产
外壳作为电子元器件的包封体,对其起 提供 了理论指导。
着支撑 (电连接、热传导、机械保护等)作 本文在前人的研究成果的基础上,结合
用 ,是元器件 的一个重要组成部分。外壳质 我所金属外壳生产的实际情况,通过在不同
量 的好坏直接关系到元器件 的质量和可靠 工艺条件下将可伐预氧化,分析工艺因素对
性 。众所周知,气密性既是外壳亦是元器件 预氧化的影响,进而确定在什么工艺条件下
的重要指标之一。气密性不好,会使外界水 可生成适于气密封接所需要的氧化层,以指
汽、有害离子或气体进入到元器件的腔体内, 导实际的生产 ,确保产品获得高气密可靠性。
使金属一氧化物 (MOS)器件中的电荷泄漏 , 2实验
使金属化层腐蚀 ,使两个相 同或不同的带电
2.1实验方法
金属带之间电解导电,使绝缘介质的绝缘电
本实验通过在不同预氧化工艺、同一熔
阻下降等。金属外壳封装是一种高可靠封装,
封工艺下比较预氧化工艺对金属一玻璃封接
具有优异的导热性能、电性能和 良好的密封
气 密性 的影 响 。采用 高精 度 电子天 平
性 ,被广泛用于高可靠的军用电子器件中。
(SatoriusCP225D,可读性为 0.01mg)分别
金属外壳的气密封接通常是通过可伐合
在氧化前后称量样品重量并计算样品氧化单
金与硼硅玻璃匹配封接实现的,由于可伐合 位增重;采用 x射线衍射仪 (X’PertPhilips)
金与玻璃之间并不能直接浸润,而是先将可
对氧化样品进行物相分析 。对于熔封后的样
伐合金预氧化,然后在高温下使可伐合金的 品,采用了在模拟实际应用的基础上加严考
氧化膜与玻璃浸润融合来实现封接 的,因此
核的方法来考核不同氧化程度样 品的气密
金属氧化的技术显得至关重要 。国内外许多
性,即壳体熔封后先粘基片、封盖、加压检
学者在这方面做了大量的研究工作,提供 了
漏 (2atm、4h),然后再按照GJB548A一96方
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第 16卷 第 3期
Vo1.16 NO.3
法 1011A条件C进行热冲击实验以及加压检
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