圆片级气密封装和通孔垂直互连研究.pdfVIP

维普资讯 第 12卷第6期 功能材料与器件学报 Vo1．12．No．6 2006年 l2月 JOURNAlOFFUNCTIONA1MATERIALSANDDEVICES Dec．．2oo6 文章编号：1007—4252(2006)06—469—05 圆片级气密封装及通孔垂直互连研究 王玉传 ，朱大鹏 ，许薇。’，罗乐 (1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海200050； 2．中国科学院研究生院，北京 100039) 摘要：提出了一种新颖的圆片级气密封装结构。其中芯片互连采用 了通孔垂直互连技术：KOH腐 蚀和DRIE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜 电镀的通孔金属化技术、纯 sn焊料气密 键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺相匹配，并在圆片级的基础上完 成，可实现互连密度200／cm 的垂直通孔密度。该结构在降低封装成本，提高封装密度的同时可有 效地保护MEMS器件不受损伤。实验还对结构的键合强度和气密性进行了研究。初步实验表明， 该结构能够满足MII一STD对封装结构气密性的要求，同时其焊层键合强度可达8MPa以上。本工 作初步在工艺方面实现了该封装结构，为进一步的实用化研究奠定了基础。 关键词 ：圆片级气密封装；通孔垂直互连；电镀 中图分类号：TN305．94 文献标识码 ：A W afer——levelhermeticpackagewiththrough——waferinterconnects WANG Yu．chuan一，ZHU Da．peng一，XU Wei一 ，LUO Le (1．ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnology，ChineseAcademyofSciences，Shanghai 200050，China；2+GraduateSchooloftheChineseAcademyofSeienees，Beijing100039，China) Abstract：A newwafer—levelhermeticpackagingstructureforMEMSdevicesisreportedbyusingthrough — waferinterconnects，whichreducesthepackagingcost，increasesI／Odensitiesinadditiontotheprotee— tionoftheMEMSdevices．Severalwafer—levelfabricationtechnologieswereuse(]inthestructurefabrica— tionprocesssuchasdeepreactiveionetching(DRIE)，KOHetching，bottom—upcopperfilling，Snsold- erbondingandPbSnbumpfabrication．ThisprocessiscompatiblewithstandardICprocessandisfinished atwaferleve1．Thehemr eticityandbondingstrengthofthesturctureisalsoevaluated．Preliminaryresults show thatthehermetieitymeetstherequirementofthecriterionofMII一STD883E ，method 1014．9 ，and thebondingstrengthisupto8MPa．Thedesign，fabricationandcharacterizationofthispackagingsturt— ture，andtheapplicabilityinMEMSpackagingwerepresented． Keywords：wafer—leve