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SPICE电路模拟第六章、蒙特卡罗分析 张志亮 蒙特卡罗分析的统计统计分布 蒙特卡罗分析参数描述 高斯分布 .PARAM xx=GAUSS(nominal_val, rel_variation, sigma ,multiplier) .PARAM xx=AGAUSS(nominal_val, abs_variation, sigma ,multiplier) 均匀分布 .PARAM xx=UNIF(nominal_val, rel_variation , multiplier) .PARAM xx=AUNIF(nominal_val, abs_variation , multiplier) 随机极限参数分布 .PARAM xx=LIMIT(nominal_val, abs_variation) 蒙特卡罗分析的启动 通过.DC、.AC、.TRAN分析语句启动，并且可以通过MONTE参数设定蒙特卡罗分析的次数。 .DC sweepVar start stop step sweep MCcommand .AC type step start stop sweep MCcommand .TRAN step start stop sweep MCcommand MCcommand的语法格式为： MONTE = $关键字 + val | $指明分析次数 + val firstrun=num | $指明初始值 + list num | $指明列表值 + list(num1:num2num3num4:num5) $指明列表值 MCcommand示例 MONTE = $关键字 + val | $指明分析次数 + val firstrun=num | $指明初始值 + list num | $指明列表值 + list(num1:num2num3num4:num5) $指明列表值 示例： .dc k start=2 stop=4 step=0.5 monte=10 .dc k start=2 stop=4 step=0.5 monte=5 firstrun=6 .dc k start=2 stop=4 step=0.5 monte=list 5:7 10 .dc k start=2 stop=4 step=0.5 monte=list(5:7 10) 实验：P229，图P230。右边给出了部分参考代码 monte.sp .options post .dc monte=60 .param ru_1=unif(100, 0.2) Iu1 u1 0 -1 ru1 u1 0 ru_1 .end 实验：P233，图P232 最坏情况分析（P140、P233） 最坏情况分析经常被用来对MOS和双极型集成电路进行参数极端情况的分析，一般用来作最坏情况分析的参数是取其统计分布的+/-2σ 或+/-3σ值来进行的。所选取的参数作最不利的组合，如：SS、FF、SF、FS等，而后在这种情况下进行电路性能模拟，从而进一步调整电路设计参数，最后以一种符合实际的折衷方法完善电路的设计。 典型参数 XL：实际沟道长度的误差Difference between the physical (on the wafer) and the drawn reference channel length. XW：实际沟道宽度的误差Difference between the physical (on the wafer) and the drawn S/D active width. TOX：栅极氧化层厚度Gate oxide thickness. RSH：源/漏极的方块电阻Source/drain sheet resistance. DELVTO：临界电压变化Threshold voltage shift. 典型参数的影响 实验：图P237 使用TSMC 0.18um库的TT_3V工艺，并指定MOS管尺寸的长(1u)和宽(10u) 加一脉冲信号并作瞬态分析，观看输入输出波形 通过使用.ALTER语句，同时在TT，以及在SS、FF、SF、FS等极限工艺角情况下依次进行分析，并在库中查看不同工艺角情况下的参数设置 数据驱动分析（P204） 数据驱动分析，允许同时修改多个参数值，再执行原来指定的直流、交流、暂态分析等操作 由.DATA语句定义参数值阵列 在原来的直流、交流、暂态分析语句里要加入指定使用的数据阵列名称 .DATA语句定义形式 .DATA datanm pnm1 pnm2 pnm3 ... pnmxxx + pval1 pval2 pval3 ... pvalxxx + pval1’ pval2’ pval3’ ... pvalxxx’ .ENDDATA