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第36 卷第5 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 36 ,No. 5
2 0 0 8 年 5 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY M a y ,2 0 0 8
导模法和温度梯度法生长r 面蓝宝石
1,2 1 1 1,2 1
杨新波 ,李红军 ,徐 军 ,程 艳 ,周国清
(1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800 ;2. 中国科学院研究生院,北京 100039)
摘 要:r 面( 0112 )蓝宝石晶体可用作制备非极性GaN 薄膜的衬底。采用温度梯度法(temperature gradient technique, TGT)和导模法(edge-defined film-fed
crystal growth, EFG)生长了质量良好的r 面蓝宝石晶体。利用双晶衍射、光学显微镜、光谱仪观察和分析了晶体的结构和缺陷。结果表明:TGT 法生
长的r 蓝宝石晶体的双晶摇摆曲线对称性好,半高宽值仅为18 3 –2
rad·s ,位错密度为4 × 10 cm ,透过率达83%,晶体质量好。与TGT 法相比,EFG 法
5 –2
生长的r 面蓝宝石晶体的结构完整性较差,位错密度为5 × 10 cm ,透过率仅为75% 。但是EFG 法具有晶体生长速度快,后期加工成本低的优点。
关键词:温度梯度法;导模法;蓝宝石;位错密度
中图分类号:TQ164 文献标识码:A 文章编号:0454–5648(2008)05–0678–05
GROWTH OF r-PLANE SAPPHIRE BY EDGE-DEFINED FILM-FED GROWTH AND
TEMPERATURE GRADIENT TECHNIQUE
1,2 1 1 1,2 1
YANG Xinbo ,LI Hongjun ,XU Jun ,CHENG Yan ,ZHOU Guoqing
(1. Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800;
2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China)
Abstract: ( 0112 ) r-plane sapphire is usually used as a substrate for growing nonpolar ( 1120 ) a-plane GaN film. r-plane sapphires
with good quality were success
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