材料物理课件semicond-2.pdf

§5 非平衡载流子 5.1 非平衡载流子 平衡载流子： 热平衡时，整块半导体材料的温度处处一致，不断地有电子一空 穴对通过本征激发产生出来，同时不断地有电子和空穴相遇而彼此复 合消失，并且产生与复合作用相互平衡。无论是导带的电子还是价带 的空穴都是借助于热激发产生的。 非平衡载流子： 除去热激发外，其它激励方法产生载流子，从而使电子和空穴的 浓度超过热平衡时的数值，偏离平衡浓度下“过剩”的载流子。 作用：是半导体器件工作中的一个极为重要的因素。 产生方法：光学或电学方法 光照射： hω ≥E g 光照开始时，由于载流子产生率的 增加，使电子与空穴的浓度升高， 这必然导致复合率的升高，直至在 新的基础上产生率又与复合率相 等，再达到稳态。 此时载流子的浓度n 和p 均比热平 衡时的数值增加了Δn 和Δp 。 电中性的要求：n Δp Δ 光照射前后电导率的变化： 本征半导体，光照前的电导率： ( e nσ 0 e p) μh + μ 光照射下发生本征吸收 σ σ+ Δ μ + Δ μ σ σ ne pe + Δ 0 e h 0 =Δ Δσ e n +μ b(1 h ) 其中 b/ μ 1μ e h 显然，光照产生非平衡载流子，使样品的电导率增大。 光照变化引起半导体材料电导变化的现象称光电导效应，也称 为光电效应。 光电导及其意义： 半导体由于吸收光而产生的光生载流子，使半导体的电导率增 大所引起的电导率称为光电导。 光电导具有一光谱分布。当入射光的波长由短波逐渐增加，样 品的光电导也逐渐增加，但在达到一最大值后，光电导又随波长的 增加而很快地下降。 通常认为在长波长方向光电导下降到最大值的一半所对应的波 长为本征光电导的长波限λ 。通过测量本征半导体光电导随波长变 0 化的曲线来确定λ 。由此得到半导体的禁带宽度（带隙）E 。 0 g 5.2 复合与寿命 在产生非平衡载流子同时存在复合过程，即导带的电子回落到 价带上，使电子与空穴成对消失。 只要载流子浓度与其平衡值有偏离，复合过程必然发生，最终 趋于新的平衡值。 非平衡载流子寿命τ 即非平衡载流子的平均存在时间。 非平衡载流子寿命越长，则复合率越低，而非平衡载流子越多，则其 复合率也越大。 Δn 非平衡载流子复合率 τ 当停止光照时，非平衡载流子要逐步回落到热平衡时的值。 在简单情况下，则非平衡载流子将按如下形式逐渐消失，即 d n dt/ nΔ / −Δ τ QΔn ⎯⎯⎯→ 0 →t ∞ − t / τ n=Δ ∴nΔe 0 Δn 以指数形式减小。