原创力文档用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行c-v剖面分析 c-v profiling of ultrashallow junctions using a buried layer with step-like doping profile.pdfVIP
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用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行c-v剖面分析 c-v profiling of ultrashallow junctions using a buried layer with step-like doping profile
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ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１００１００９
ＣＶ Ｐｒｏｆｉｌｉｎｇ ｏｆ Ｕｌｔｒａｓｈａｌｌｏｗ Ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ Ｕｓｉｎｇ ａ Ｂｕｒｉｅｄ Ｌａｙｅｒ
ｗｉｔｈ ＳｔｅｐＬｉｋｅ Ｄｏｐｉｎｇ Ｐｒｏｆｉｌｅ
，
１ ２ ２ ２ １
， ， ，
Ｘｕ Ｃｕｉｑｉｎ Ｐｏｐａｄｉｃ Ｍｉｌｏ Ｎａｎｖｅｒ Ｌ． Ｋ． Ｒｕ Ｇｕｏｐｉｎｇ
（ ， ， ， ， ；
１Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｌａｂ ｏｆ ＡＳＩＣ ａｎｄ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｆｕｄａｎ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｓｈａｎｇｈａｉ ２００４３３ Ｃｈｉｎａ
， ， ， ， ）
２Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ ＥＣＴＭ ＤＩＭＥＳ Ｄｅｌｆｔ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＧＢ Ｄｅｌｆｔ ２６００ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ
：
Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｔｗｏｓｉｄｅｄ ＣＶ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｗａｓ ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ ｆｏｒ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｉｎ ｄｏｐｉｎｇ ｐｒｏｆｉｌｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉ
＋ ＋
ｕｌｔｒａｓｈａｌｌｏｗ ｐ ｎ ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ． Ｅｘｐｒｅｓｓｉｏｎｓ ｗｅｒｅ ｄｅｒｉｖｅｄ ｆｏｒ ｔｈｅ ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ ｐｒｏｆｉｌｅ ｉｎ ｔｈｅ ｐ ｒｅｇｉｏｎ，
（ ） ＋ ，
ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｈｅ ｋｎｏｗｌｅｄｇｅ ｏｆ ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｖｏｌｔａｇｅ ＣＶ ｒｅｌａｔｉｏｎｓｈｉｐ ｏｆ ｔｈｅ ｐ ｎ ｄｉｏｄｅ ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ ｐｒｏｆｉｌｅ ｉｎ ｎ
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ｒｅｇｉｏｎ ａｎｄ ｔｈｅ ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ ｗｉｄｔｈ ｉｎ ｎ ｒｅｇｉｏｎ ａｔ ｔｈｅｒｍａｌ ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ ｘ ． Ｓｔｅｐｐｅｄ ｄｏｐｉｎｇ ｐｒｏｆｉｌｅ ｉｎ ｎ ｒｅｇｉｏｎ ｗａｓ
ｎ０
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ｄｅｓｉｇｎｅｄｆｏｒ ａｃｃｕｒａｔｅ ｄｅｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ｘ ａ ｃｒｕｃｉａｌ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｆｏｒ ｔｈｅ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｄｏｐｉｎｇ
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