原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究 study on the interface-state characteristic and reliability of the gate dielectrics generated by issg.pdfVIP

下载本文档

63
0
约 4页
2017-08-17 发布于上海
举报
版权申诉

原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究 study on the interface-state characteristic and reliability of the gate dielectrics generated by issg.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究 study on the interface-state characteristic and reliability of the gate dielectrics generated by issg

原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究孙凌1’2，一，高超1’2一，杨华岳2 (1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海200050；2．上海宏力半导体制造有限公司，上海201203；3．中国科学院研究生院，北京100039) 摘要：介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究。通过电荷泵测试，对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析，然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究。通过测试发现，提高生长温度或减小氢气在反应气体中的比重可以获得更好的界面特性和可靠性，原位水汽生长工艺存在进一步提高的空间。关键词：原位水汽生长；热载流子注入；经时击穿中图分类号：TN305．5文献标识码：A ontheInterface．StateCharacteristicand oftheGate Study Refiability DielectricsGeneratedISSG by Sun Ling‘’2”，GaoCha01，2一，YangHuayuez Institute and Sciences， (1．ShanghaiofMicrosystemInformationTechnology，ChineseAcademyof Semiconductor Shanghai200050，Ch／na；2．Grace Corporation，Shanghai201203， Manufactug．ng School China；3．GraduateChinese 100039，China) of AcademyofSciences，Beijing ofMOSFETwith dielectricsfabricatedin—situsteam Abstract：The reliability gate by are onthe ofinterface witll processinvestigated．Thequalitativeanalysisrelationship densityprocessparameters werecarriedout test．The ofISSG oxideswere hot- bychargepumping reliability gate investigatedthrough carrier and dielectric isdemonstratedthat degradation breakdown)．It increasing TDDB(time-dependent leadtobetterinterface·state ordecreasingH2fractioninmixedreactioncould processtemperature