长串高压硅堆的电压分布与不等值均压分析 analysis of voltage distribution along series silicon stacks and voltage sharing by unequal parameter method.pdfVIP

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2017-08-17 发布于上海
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长串高压硅堆的电压分布与不等值均压分析 analysis of voltage distribution along series silicon stacks and voltage sharing by unequal parameter method.pdf

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长串高压硅堆的电压分布与不等值均压分析 analysis of voltage distribution along series silicon stacks and voltage sharing by unequal parameter method

第45卷第6期京后圣譬 V01．45No．6 ·24· 2009年 12月 HishVoltageApparatus Dec． 2009 长串高压硅堆的电压分布与不等值均压分析张磊，傅正财，孙伟，贺林，陈坚 (上海交通大学电气工程系，上海200030) 摘要：内部均压是高压硅堆研制的关键技术．而硅堆电压分布不均的现象在端部最为突出。以硅堆分布参数等效电路为基础．先采用解析方法分析硅堆内部电压分布规律和影响因素，针对硅堆端部电压分布尤其不均匀的特点，建立EMrI’P仿真模型，分析端部强制均压元件参数对硅堆电压分布不均匀系数的影响。提出采用非等值均压参数配置方法改善端部电压分布．并通过实验验证了这种非等值均压参数配置方法对改善高压硅堆电压分布不均匀度的效果。研究表明．这种端部均压方法能有效降低硅堆端部的分压．从而提高硅堆整体的反向耐压。关键词：高压直流；整流；高压硅堆；强制均压；硅整流管中图分类号：TM642 文献标志码：A 文章编号：1001—1609(2009)06一0024-04 of DistributionSeriesSiliconStacksand AnalysisVoltage Along Voltage ParameterMethod SharingbyUnequal ZHANG Wei，HELin，CHENJian Lei，FUZheng’eai，SUN Electrical JiaotongUniversity，Shanghai200030，China) (Dept．of Engineering，Shanghai is the in of silicon stacks．The of Abstract：Voltagesharing keyproblemdevelopmenthigh。voltage phenomenonunequal is obviousat theendsof siliconstacks．This the voltagesharingespecially high-voltage paperanalyzesvoltagesharing characteristicsandthe factorsof siliconstacks．Adistributed modelof siliconstack impact high-voltage parameter high-voltage is get the is EMTPsimulation．Theinfluencesof voltage up，and sharinginvestigatedby voltagesharingcomponent onthe of are methodof end thesiliconstacks is parameters segments analyzed．A unequalparametervoltagesharing simulationand a弛