真空绝缘沿面闪络场强相关影响参数分析 analysis on dependence of surface flashover field strength on physical parameters in vacuum.pdfVIP
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真空绝缘沿面闪络场强相关影响参数分析 analysis on dependence of surface flashover field strength on physical parameters in vacuum
真空绝缘沿面闪络场强相关影响参数分析
高 巍,王志华
(中国电工技术学会,北京 100823)
摘要:根据现有物理学理论推导得出的闪络场强E,和闪络电压y。的表达式显示,影响闪络场强和闪络电压的物
理因素有:初始电子的出射状态(出射动能Ao、出射角度0)、绝缘材料介电常数£、绝缘体表面吸附气体分子脱附
系数y、绝缘长度L、绝缘体表面单位面积的脱附气体分子数M、脱附气体离开绝缘体表面的速率口。等等。利用
MathCAD绘图软件绘制出E,和v,随绝缘长度的变化趋势图证明,两曲线变化趋势及量级与所得实验结果一
致。实验研究也证明,随着绝缘长度的增加,真空绝缘沿面闪络场强呈下降趋势;应用二次电子崩理论分析真空闪
络的发生发展机理是合理的。
关键词:真空:闪络场强:脱附
中图分类号:TM85文献标志码:A 文章编号:1009—9239(2008)04—0056一03
on ofSurfaceFlashoverField
Dependence Strength
Analysis
on ParametersinVacuum
Physical
GA0Wei。WANGZhi.hua
Electrotechnical
(China Society,BeOing100823,China)
results tothe ofsurfaceflashoverfield onthe
Abstract:Experimentalrelating dependence strength
invacuum summarized.Theresultsshowthatthesurfacefield
physicalparameters were strength
ex-
decreaseswiththeincreaseofinsulation on theories,the
along length.Basedexitingphysical
ofEt andVwasdeduced.The showthatthe tofla
pression t expressions physicalparametersrelating
field includeinitial material’Sdielectricconstant
shover strength electrons’state。insulating e,
unitarea
coefficienty,insulation moleculenumbers M,
desorption lengthL,desorptiongas per
desorbed rate MathCADwasusedtodrawEIandVIcurves。which
gases’leaving
p一,etc.Software
areco
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