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－应用核技术与自动化工程学院－ 核辐射测量方法 周四春 核技术与自动化工程学院 通过本章学习，使学生掌握α射线探测的物理原理，了解用于α射线探测的核辐射传感器的特点与工作原理，了解α射线探测的工作方法和主要应用。 主要带电粒子探测器工作原理 各种带电粒子探测器的特点 带电粒子测量方法 带电粒子的主要应用 定义：核辐射探测器（传感器），是利用探测器内的物质与入射射线的相互作用而产生某种信息（如电、光脉冲或材料结构的变化），从而实现对入射射线加以捕获的装置。 作用：确定射线的数目、位置、能量、动量、飞行时间、速度、质量等物理量。 分类：闪烁探测器、气体探测器、半导体探测器。 一、气体电离探测器的工作原理 气体电离探测器是以气体作为带电粒子电离或激发的介质，在气体电离空间置有两个电极，外加电场并保持一定的电位差，当带电粒子穿过气体时与气体分子轨道上的电子发生碰撞，使气体分子产生电离而形成离子对，在电场中电子向正极移动，正离子向负极移动，最后到达二极而被收集起来，使电子线路上引起瞬时电压变化（电压脉冲）而由后续的电子仪器记录。 二、分类 根据其所处的工作状态，通常可将气体电离探测器分为三类： 电离室 正比计数器 盖革计数器 三、对电离室的要求 电离室的大小和形状，壁厚和电极的材料、充气成分、电压强度等，根据辐射的性质、实验的要求而确定。 用于α粒子测量时，要求电离室的容积要大，充较高气压的气体。 测量γ射线时，则要求电离室具有较厚的室壁，以阻隔住β射线、X射线等。 一、正比计数管的结构 一、结构 二、工作原理 射线进入计数管内，引起管内惰性气体电离，形成正负离子对。在电场作用下，正离子向负极，负离子向正极（钨丝）移动。射线引起的电离称为原电离。当负离子靠近阳极电场强度越大，受到作用也大，运动速率加快，又碰撞到阳极附近的惰性气体分子引起次级电离。多次的新的次级电离，使得阳极附近在极短时间内，产生大量次级电子，这种现象称为雪崩。 沿整个阳极金属线引起雪崩的结果，大量的负离子跑到阳极上，阳极产生放电，两极间电压发生瞬间降落，这种电压的瞬间改变称为脉冲电压，把电压的微小变化输送到定标器上，经过电子学线路整理、甄别、放大，被特殊的记录装置记录下来，即可测得射线的放射线活度。 组成与特点： ZnS（Ag）是一种多晶粉末，其透明度较差，用于探测α粒子时，一般做成质量厚度小于80mg/cm2的晶体，此时，对于自身所发出的闪烁光才是透明的。 由于其透明度较差，能量分辨率也差，因此不适合于作为α粒子的能谱测量。 工作原理： 当ZnS（Ag）的原子与分子从入射α粒子获得部分能量后，将被激发，在其原子与分子退激的过程中，其从α粒子获得的能量将以一定波长的光的形式释放出来。这种光，波长较长，处于可见光波长范围，被称为闪烁光。 如果入射的α粒子的能量越高，并将能量全部损耗在闪烁体内，则被激发的原子与分子越多，退激时发射的闪烁光光子越多，最终从光电倍增管输出的电荷越多，形成的电信号幅度将越大。 组成与特点： CsI（Tl）。对α粒子CsI（Tl）的发光效率很高，在早期常作为α闪烁谱仪的闪烁晶体。它对于210Po的5.3MeV能量的α粒子，其能量分辨率可以优于4％，最好的可以达到1.8％。 可以用于作为α粒子的能谱测量。 工作原理： 与ZnS（Ag）类似。 目前常用的半导体探测器主要有三种： 1)在锗或硅单晶中制造成PN结，在反向电压下工作，使PN结形成“耗尽层”，自由载流子浓度很低。 2)在P型和N型的锗或硅单晶之间形成一层PIN型本征区，电阻率很高，作为探测器的灵敏区。 3)利用高纯锗材料，其中受主和施主原子的浓度已可降低至10-10个／cm3，即平均每1012个锗原子中仅有杂质原子1个。 目前常用的半导体探测器主要有三种： 1)在锗或硅单晶中制造成PN结，在反向电压下工作，使PN结形成“耗尽层”，自由载流子浓度很低。 2)在P型和N型的锗或硅单晶之间形成一层PIN型本征区，电阻率很高，作为探测器的灵敏区。 3)利用高纯锗材料，其中受主和施主原子的浓度已可降低至10-10个／cm3，即平均每1012个锗原子中仅有杂质原子1个。 用于α粒子测量的金硅面垒半导体探测器属于PN结型半导体探测器，这种探测器是以N型硅单晶作基片。将基片经酸处理后形成一氧化层，并在氧化层上镀一层金膜(约10nm厚)。在靠金膜的氧化层具有P型硅特性，在基片背面镀镍接电源正极，金膜与铜外壳接触接电源负极，氧化层构成PN结耗尽层为金硅面垒探测器的灵敏区。目前金硅面垒探测器灵敏区厚度最大可做到2mm。一般做成圆片状。 金硅面垒探测器，由于耗尽层厚度较薄，主要用于探测带电重粒子(如α、P等)，亦可用作能谱测量，探测效率近于100％。也可用于β射线测量，对γ射线不灵敏。 固体半导体探测器