二维半导体光电性质与器件研究进展简述.pdfVIP

2017.02 科技论坛 二维半导体光电性质与器件研究进展简述 曹奕达 （衡水中学，河北衡水，053000） 摘要：二维半导体材料，如过渡金属硫族化合物，以其在光电器件方面展现出的独特性能与巨大潜力，成为后摩尔时代有极大 发展前景的新半导体材料。二维材料具有独特的光电性质，如直接带隙的电子结构，谷自旋电子学特性，强激子效应等，而利用 以上性质，此类材料可用于光探测器、场效应晶体管、高效微纳传感器、光电子电路等微纳光电器件中。因此，以过渡金属硫族 化合物为代表的二维半导体材料无论在基础科学与未来应用方面，都是重要的备选材料。 关键词：二维材料 ；过渡金属硫族化合物 ；光电器件 ；石墨烯 Research progress of two dimensional semiconductor optoelectronic properties and devices Cao Yida （Hengshui High School，Hengshui Hebei,053000） Abstract: two dimensional semiconductor materials, such as transition metal chalcogenides, with its unique performance show great potential in the field of optoelectronic devices, a new semiconductor material Moore era has great prospects for development. The two-dimensional material has unique photoelectric properties, electronic structure such as direct bandgap, valley spintronics characteristics, strong exciton effect, while using the above properties, such materials can be used in optical detector, field effect transistor, high efficient micro nano sensor, optoelectronic circuit micro nano optical devices. Therefore, two- dimensional semiconductor materials represented by transition metal sulfides are important candidate materials in basic science and future applications. Keywords: two-dimensional materials; transition metal chalcogenide; optoelectronic devices; graphene 0 引言 是两层卤族元素夹一层过渡族金属元素组成的三明治结构。[2] 二维材料是由单原子层或多层原子组成的平面晶体结构材 此种单层材的能带结构与块体有着很大不同。事实上，在费米面 附近的电子结构则决定了材料的光电特性，而此单层材料在能带 料，其性质与块体材料有着极大的不同，有着特殊的物理化学性 能，如图1 所示。[1] 自2004