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第一章 半导体二极管极其电路 2．在半导体中有几种载流子？半导体的导电方式与金属的导电方式有什么不同？ 答：在半导体中有两种载流子，电子和空穴。而金属导体中只有自由电子参与导电。 4．在PN结中什么是扩散电流？什么是漂移电流？ 答：PN结两侧的P型半导体、N型半导体掺入的杂质元素不同，其载流子浓度也不相同。由于存在载流子浓度的差异，载流子会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，通常把这种运动称为扩散运动，把扩散运动产生的电流称为扩散电流。 在内电场的作用下，N区的少数载流子（空穴）会向P区做定向运动，同样P区的少数载流子（自由电子）会向N区做定向运动，这种运动称为漂移运动，由漂移运动产生的电流称为漂移电流。 5．说明扩散运动、漂移运动对空间电荷区（耗尽层）的影响。 答：扩散运动会使空间电荷区变宽、内电场加大；内电场的产生和加强又阻止了多子的扩散，有助于少子的漂移，结果使空间电荷区变窄，削弱了内电场，如此反复，在P区和N区之间，多子的扩散和少子的漂移会形成动态平衡，扩散电流等于漂移电流，总电流等于零，空间电荷区宽度一定，内电场强度一定，PN结呈电中性。 6．写出PN结的伏安特性表达式并绘出响应的曲线。 答：PN结的伏安特性可用下式描述： 可以简化为 9．为什么PN结具有单向导电性？ 答：PN结两端加入正向电压时，外场强的方向和内场强的方向相反。在外场强的作用下，空间电荷区变窄，使扩散运动大于漂移运动，从而产生较大的正向扩散电流（一般为几毫安），此时称PN结处于导通状态。 PN结两端加入反向电压时，外场强的方向和内场强的方向相同。在外场强的作用下，空间电荷区变宽，阻止了扩散运动，扩散电流接近于零，PN结只存在由少数载流子形成的微小的漂移电流。又称为反向饱和电流（典型值范围为10-14～10-8A），此时称PN结处于截止状态。 所以PN结具有单向导电性。 10．根据二极管的伏安特性曲线，解释二极管在3个区段（截止区、导通区、击穿区）的工作情况。 答：二极管的伏安（V?I）特性分为3个区间：①段为正向导通区；②段为反向截止区；③段为反向击穿区。 1．正向特性 在二极管正向偏置且电压比较小时，外加电压不足以克服PN结的内电场，二极管的电流约等于零，二极管等同于一个大的电阻；当正向电压大于门坎电压时，二极管等同于一个小的电阻，因而电流迅速加大，二极管开始导通。 2．反向特性 在二极管反向偏置时，在内电场和外加电压的共同作用下，很容易通过空间电荷区形成反向饱和电流，此时，扩散电流为零。由于反向饱和电流是由少数载流子漂移形成的，它的数值一般比较小。 3．击穿特性 当二极管处于反向偏置状态，且反向电压大于击穿电压VBR时，二极管电流迅速增加，这种击穿称为反向击穿。 11．简述二极管基本电路及其分析方法。 答： 1．指数模型： 2．理想模型：当外加电压大于０Ｖ时，二极管导通，电阻为0Ω；当外加电压小于0V时，二极管截止，电阻无穷大。此模型适用于外加电压远远大于二极管的管压降情况。 3．恒压降模型：当二极管导通时，认为管压降是一个恒定的值，对于硅管典型值是0.7V。此模型适用于二极管中的电流大于等于1mA的情况。 二极管理想模型 二极管恒压降模型 4．折线模型：较真实地描述了二极管的伏安特性，用理想二极管、一个门槛电压为Vth（硅管约为0.5V）的电池和一个电阻rD（约200欧）的串联来等效。 5．小信号模型：在直流工作电压的基础上，求出Q点附近的二极管的等效电阻。 二极管折线模型 二极管小信号模型 13．分析题图1-1中各二极管的工作状态（导通或截止），并求出输出电压，设二极管是理想的。 题图1-1 （a）导通，V； （b）截止，V； （c）导通，V； （d）截止，V； （e）导通，V； （f）截止，V； 14．分析题图1-2中各二极管的工作状态（导通或截止），并求出输出电压的值。 题图1-2 （a）D（左）截止，D（右）导通，V；（b）D（左）导通，D（右）截止，V； 15．电路如题图1-3（a）所示，输入电压如题图1-3（b）所示，在0 t 5ms的时间周期内，画出输出电压的波形。用恒压降模型，管压降为0.7V。 题图1-3 17．电路如题图1-5所示，当vi1、vi2、vivo的值，用表格的形式给出，如题表1-1所示。（利用二极管的理想模型）  题图1-5 第二章 晶体三极管及其放大电路基础 3．如何理解三极管是电流控制的有源器件？ 答：三极管的重要特性之一就是具有电流放大作用（iC＝βiB） 6．画出题图2-3中所示的各电路的直流通路