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异质结原理与器件小论文 （小组） 题目：GaN——第三代半导体的新势力 队长：刘 敏 物理1001 成员：马丹丹 光信1001 李秋虹 光信1002 目录 选题背景 ………………………………………………………………3一、GaN材料的发展概述……………………………………………4 二、 GaN材料的特性…………………………………………………4 2.1化学特性 2.2结构特性…………………………………………………………6 2.3电学特性…………………………………………………………7 2.4光学特性…………………………………………………………7 三、GaN材料的应用…………………………………………………8 3.1新型电子器件……………………………………………………8 3.2光电器件…………………………………………………………8 四、GaN的优缺点………………………………………………………10 4.1GaN材料的缺点…………………………………………………10 4.2GaN材料的优点…………………………………………………11 五、总结…………………………………………………………12 六、参考文献…………………………………………………………13 七、异质结小组分工及时间安排………………………………………13 GaN——第三代半导体的新势力 选题背景：自20世纪60年代，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发展非常迅速，它具有体积小、耐冲击、寿命长、可靠度高与低电压低电流操作等优良的特性，适用于在各种环境的使用，而且符合未来环保节能的社会发展趋势。初期的以砷化镓(GaAs)、铝铟磷镓(AIGalnP)材料为基础之发光二极管，实现了红光至黄绿光波段的电激发光。GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。 关键词：氮化镓 半导体材料 特性 应用 GaN材料的 GaN是由Johnson等人于1928年合成的一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，由于晶体获得的困难，所以对它的研究未得到很好的进展。在60年代，用Ⅲ-Ⅴ族化合物材料GaAs制成激光器之后，才又对GaN的研究产生兴趣。1969年，Maruska和Tietjen成功制备出了单晶GaN晶体薄膜，给这种材料带来了新的希望。但在此后很长时期内，GaN材料由于受到没有合适的衬底材料、n型本底浓度太高和无法实现p型掺杂等问题的困扰，进展十分缓慢。进入90年代以来，由于缓冲层技术的采用和p型掺杂技术的突破，对GaN的研究热潮在全世界蓬勃发展起来，并且取得了辉煌的成绩。 二、GaN材料的特性 化学特性 结构特性 在很高压强下，GaN、AN、InN能生成岩盐结构。纤锌矿结构是六方柱体原胞，因此有2个晶格常数a和c。纤锌矿结构由各自包含一种原子的两个密排六方晶格，沿c轴方向相对位移3c/8套构而成。闪锌矿结构由包含4个Ⅲ族原子和4个Ⅴ族原子的立方原胞构成，它是由两个面心立方晶体，沿对角线方向相对位移a/4套构而成的。闪锌矿结构和纤锌矿结构从电子结构上看是相关的，两种结构的主要差别在于密排原子表面的堆积顺序不同，闪锌矿结构晶格原子的堆叠是…ABCABCABC…,而纤锌矿的堆叠顺序是…ABABAB…。 2.3电学特性 光学特性 GaN材料的应用 新型电子器件 光电器件 　GaN的优缺点 因为GaN是宽禁带半导体，极性太大，则较难以通过高掺杂来获得较好的金属-半导体的欧姆接触，这是GaN器件制造中的一个难题，故GaN器件性能的好坏往往与欧姆接触的制作结果有关。现在比较好的一种解决办法就是采用异质结，首先让禁带宽度逐渐过渡到较小一些，然后再采用高掺杂来实现欧姆接触，但这种工艺较复杂。总之，欧姆接触是GaN器件制造中需要很好解决的一个主要问题。 GaN材料的缺点 　　一方面，在理论上由于其能带结构的关系，其中载流子的有效质量较大，输运性质较差，则低电场迁移率低，高频性能差。另一方面，现在用异质外延（以蓝宝石和SiC作）技术生长出的GaN单晶，还不太令人满意（这有碍于GaN器件的发展），例如位错密度达到了108~1010/cm2（虽然蓝宝石和SiC与GaN的晶体结构相似，但仍然有比较大的晶格失配和热失配）；未掺杂GaN的室温背景载流子（电子）浓度高达1017cm-3（可能与N空位、替位式Si、