哈工大课件半导体物理(第二章).pptVIP

第2章 半导体中杂质和缺陷能级 理想半导体： 1、原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。由本征激发提供载流子 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 第2章半导体中杂质和缺陷能级 实际材料中 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 §2.1半导体中的杂质能级§2.1.1 硅锗晶体中的杂质能级 （1）晶体中杂质的存在方式 杂质的来源 由于纯度有限，半导体原材料所含有的杂质 半导体单晶制备和器件制作过程中的污染 为改变半导体的性质，在器件制作过程中有目的掺入的某些特定的化学元素原子 杂质原子进入半导体晶体后， 以两种方式存在 一种方式是杂质原子位于品格原子间的间隙位置，常称为间隙式杂质（A） 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质（B） 两种杂质特点： 间隙式杂质原子小于晶体原子，如：锂离子，0.068nm 替位式杂质： 1）杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近 2）价电子壳层结构比较相近 如：III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质 （2）施主杂